| 講演名 | 2020-09-28 ScAlスパッタターゲットから生じる負イオンがScAlN圧電薄膜の結晶配向性や電気機械結合係数に及ぼす影響 木原 流唯(早大), 高柳 真司(同志社大), 柳谷 隆彦(早大), |
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| 抄録(和) | 広帯域なBAWフィルタへの応用を目指して、大きな電気機械結合係数をもつScAlN圧電薄膜が注目されている。Scは酸化しやすく、精製時に炭素の不純物が混入しやすい。そのため、スパッタリングによるScAlN薄膜成長時にO- やCN- の負イオンとなって基板に照射される。これらの負イオンは圧電薄膜の電気機械結合係数や結晶配向性に影響を及ぼす。そこで本研究では、様々なScAlターゲット(アーク溶融ScAl合金、焼結ScAl合金、電子ビーム溶融ScAl合金、Al金属円板にSc粒を置いたもの、Al金属円板にSc粒を埋め込んだもの)から生じる負イオンを四重極質量分析計付きエネルギーアナライザによって測定し、さらに、成長させたScAlN圧電薄膜の電気機械結合係数や結晶配向性を評価した。各種ScAlターゲットから生じる負イオンの量には違いが見られ、圧電性や結晶配向性に影響を及ぼすことがわかった。 |
| 抄録(英) | ScAlN thin films with large electromechanical coupling coefficient have been attracting attention for the application to wideband BAW filters. Sc ingots usually contain oxygen and carbon impurities. Therefore, this result in the O- and CN- negative ions irradiation to the substrate during the sputtering process. These negative ions irradiation would affect the crystal orientation and electromechanical coupling coefficient, kt2 of the piezoelectric thin films. In this study, the negative ions generated from various ScAl sputtering targets were measured. Crystal orientation and kt2 of ScAlN thin films were investigated. We showed that the difference in the intensity of the negative ions generated from each target affects crystal orientation and kt2. |
| キーワード(和) | ScAlN / 圧電薄膜 / ScAlスパッタターゲット / 負イオン照射 |
| キーワード(英) | ScAlN / Piezoelectric thin film / ScAl sputtering target / Negative ion irradiation |
| 資料番号 | US2020-36 |
| 発行日 | 2020-09-21 (US) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
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| 開催期間 | 2020/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Web Meeting |
| テーマ（和） | 一般(共催：東北大学電気通信研究所 超音波エレクトロニクス研究会、日本超音波医学会光超音波画像研究会、レーザー学会光音響イメージング技術専門委員会) |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 三浦 光(日大) |
| 委員長氏名（英） | Hikaru Miura(Nihon Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 近藤 淳(静岡大) / 小池 義和(芝浦工大) |
| 副委員長氏名（英） | Jun Kondo(Shizuoka Univ.) / Yoshikazu Koike(Shibaura Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 小山 大介(同志社大) / 荒川 元孝(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Koyama(Doshisha Univ.) / Mototaka Arakawa(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 平田 慎之介(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Shinnosuke Hirata(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Ultrasonics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ScAlスパッタターゲットから生じる負イオンがScAlN圧電薄膜の結晶配向性や電気機械結合係数に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of negative ions generated from ScAl sputtering targets on kt2 and crystal orientation of ScAlN thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ScAlN / ScAlN |
| キーワード(2)（和/英） | 圧電薄膜 / Piezoelectric thin film |
| キーワード(3)（和/英） | ScAlスパッタターゲット / ScAl sputtering target |
| キーワード(4)（和/英） | 負イオン照射 / Negative ion irradiation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木原 流唯 / Rui Kihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高柳 真司 / Shinji Takayanagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 同志社大学(略称：同志社大) Doshisha University(略称：Doshisha Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-09-28 |
| 資料番号 | US2020-36 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | US-174 |
| ページ範囲 | pp.51-56(US), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-09-21 (US) |