| 講演名 | 2020-08-07 ［招待講演］シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明 岡 博史(産総研), 松川 貴(産総研), 加藤 公彦(産総研), 飯塚 将太(産総研), 水林 亘(産総研), 遠藤 和彦(産総研), 安田 哲二(産総研), 森 貴洋(産総研), |
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| 抄録(和) | シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリコン量子コンピューターの実現には、シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間を改善する必要がある。コヒーレンス時間は電荷ノイズが制約条件となっているが、量子ビットの動作環境である極低温下で生じる電荷ノイズの起源を解明されていない。本論文ではノイズの観点からシリコンスピン量子ビットの課題を概観し、性能を制限する極低温ノイズの起源に迫るためのアプローチを紹介する。 |
| 抄録(英) | Si quantum computer has attracted a significant attention due to its potential for large-scale integration using semiconductor manufacturing technology. In order to develop the Si quantum computer, it is necessary to improve the coherence-time of Si spin qubit. The coherence-time of Si spin qubit is limited by charge noise. However, the origin of charge noise generated at cryogenic temperature, which is the operating temperature of Si spin qubit, has not been clarified. This paper reviews the technological challenges of Si spin qubit in terms of noise and reports our recent results to reveal the origin of cryogenic noise that limits the performance of Si quantum computer. |
| キーワード(和) | シリコン量子コンピューター / スピン量子ビット / 極低温 / 低周波ノイズ / クライオCMOS |
| キーワード(英) | Si quantum computer / Spin qubit / Cryogenic temperature / Low-frequency noise / Cryo-CMOS |
| 資料番号 | SDM2020-6,ICD2020-6 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2020/8/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 秋田 純一(金沢大) |
| 委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 高橋 真史(東芝メモリ) / 大見 俊一郎(東工大) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 副委員長氏名（英） | Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 幹事氏名（和） | 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(阪大) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新居 浩二(フローディア) / 宮地 幸祐(信州大) / 久保木 猛(九大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) |
| 幹事補佐氏名（英） | Koji Nii(Floadia) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Understanding the Origin of Low-frequency Noise in Cryo-CMOS Toward Long-coherence-time Si Spin Qubit |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン量子コンピューター / Si quantum computer |
| キーワード(2)（和/英） | スピン量子ビット / Spin qubit |
| キーワード(3)（和/英） | 極低温 / Cryogenic temperature |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波ノイズ / Low-frequency noise |
| キーワード(5)（和/英） | クライオCMOS / Cryo-CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡 博史 / Hiroshi Oka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 森 貴洋 / Takahiro Mori |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2020-08-07 |
| 資料番号 | SDM2020-6,ICD2020-6 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-126,ICD-127 |
| ページ範囲 | pp.25-30(SDM), pp.25-30(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |