| 講演名 | 2020-08-06 ［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 トープラサートポン カシディット(東大), 林 早?(東大), 李 宗恩(東大), 竹中 充(東大), 高木 信一(東大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり，強誘電体/半導体界面における強誘電分極・反転層電荷・トラップ電荷の複雑な相互作用によってデバイス動作が決まる．本発表では，我々が提唱した測定手法であるP-Vと準静的Split C-V測定およびホール測定によって明らかになった分極と電荷の相互作用，および強誘電体FETの複雑なデバイス動作と非対称なメモリ特性の起源について解説する． |
| 抄録(英) | Ferroelectric FETs, where the ferroelectric material is employed as the MOSFET gate insulator, are different from conventional MOSFETs that the device operation is determined by the complicated interaction between ferroelectric polarization/inversion charges/trapped charges at the ferroelectric/semiconductor interface. In this report, we summarize our finding on the interaction between polarization and charges extracted from P-V and quasi-static split C-V measurements, proposed by our group, together with Hall measurements, and discuss the origin of complicated device operation and asymmetric memory characteristics of ferroelectric FETs. |
| キーワード(和) | 強誘電体FET / デバイス動作機構 / 反転層電荷 / 準静的Split C-V / 分極-電圧特性 |
| キーワード(英) | Ferroelectric FET / Device operation mechanism / Inversion charge / Quasi-static split C-V / Polarization-voltage characteristics |
| 資料番号 | SDM2020-2,ICD2020-2 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
|---|---|
| 開催期間 | 2020/8/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 秋田 純一(金沢大) |
| 委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 高橋 真史(東芝メモリ) / 大見 俊一郎(東工大) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 副委員長氏名（英） | Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 幹事氏名（和） | 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(阪大) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新居 浩二(フローディア) / 宮地 幸祐(信州大) / 久保木 猛(九大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) |
| 幹事補佐氏名（英） | Koji Nii(Floadia) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Polarization/charge coupling in Si ferroelectric FET and its impact on memory characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体FET / Ferroelectric FET |
| キーワード(2)（和/英） | デバイス動作機構 / Device operation mechanism |
| キーワード(3)（和/英） | 反転層電荷 / Inversion charge |
| キーワード(4)（和/英） | 準静的Split C-V / Quasi-static split C-V |
| キーワード(5)（和/英） | 分極-電圧特性 / Polarization-voltage characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | トープラサートポン カシディット / Kasidit Toprasertpong |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 早? / Zaoyang Lin |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 李 宗恩 / Tsung-En Lee |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi Takagi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 発表年月日 | 2020-08-06 |
| 資料番号 | SDM2020-2,ICD2020-2 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-126,ICD-127 |
| ページ範囲 | pp.3-7(SDM), pp.3-7(ICD), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |