| 講演名 | 2020-08-07 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 石黒 翔太(金沢工大), 井田 次郎(金沢工大), 森 貴之(金沢工大), 石橋 孝一郎(電通大), |
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| 抄録(和) | 本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SOI-FET ”を用いたCMOSインバータの伝達特性の測定結果を初めて報告する。今までNMOSとPMOSそれぞれで急峻なSSを持つことを報告していた。今回はそれらを組み合わせたCMOSインバータの特性評価を行った。NMOSとPMOSのSSの位置を重ね合わせた場合、従来のSOI-CMOSの場合と比較して、非常に急峻で直角な伝達特性を示した。これは、PNBT-SOI FETが理想的な急峻SSを持つため確認された、興味深い結果と考える。また入力電圧step 100μVのときに78dB程度の大きな電圧利得が得られることも分かった。 |
| 抄録(英) | In this study, we report the CMOS Inverter Transfer Characteristics on Steep SS “PN-Body Tied SOI-FET” proposed in our laboratory. So far, we have reported that NMOS and PMOS have Steep SS in each of them. In this paper, we report the characterization of a CMOS inverter that combines NMOS and PMOS, for the first time. When the SS positions are superimposed, they are very steep and perpendicular, compared with the conventional SOI-CMOS case. The results show that the transfer characteristics of the PNBT-SOI FETs are very good. This is an interesting result confirmed by the PNBT-SOI FETs because they have an ideal steep SS. A large voltage gain of about 78 dB was found with an input voltage step 100?v. |
| キーワード(和) | CMOS インバータ / SOI / Steep Subthreshold Slope |
| キーワード(英) | CMOS Inverter / SOI / Steep Subthreshold Slope |
| 資料番号 | SDM2020-8,ICD2020-8 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2020/8/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 永田 真(神戸大) / 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 秋田 純一(金沢大) |
| 委員長氏名（英） | Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 高橋 真史(東芝メモリ) / 大見 俊一郎(東工大) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 副委員長氏名（英） | Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 幹事氏名（和） | 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(阪大) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新居 浩二(フローディア) / 宮地 幸祐(信州大) / 久保木 猛(九大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) |
| 幹事補佐氏名（英） | Koji Nii(Floadia) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CMOS Inverter Transfer Characteristics on Steep SS “PN-Body Tied SOI-FET” |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS インバータ / CMOS Inverter |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石黒 翔太 / Shota Ishiguro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 貴之 / Takayuki Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2020-08-07 |
| 資料番号 | SDM2020-8,ICD2020-8 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-126,ICD-127 |
| ページ範囲 | pp.37-40(SDM), pp.37-40(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |