| 講演名 | 2020-05-28 ［招待講演］Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術 堤 卓也(NTT), 杉山 弘樹(NTT), 濱田 裕史(NTT), 野坂 秀之(NTT), 松崎 英昭(NTT), |
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| 抄録(和) | あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム（5G）の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展している．Beyond 5G においては搬送波の高周波化による伝送帯域の拡大が想定されており，その周波数帯の候補の一つとして300 GHz 帯が検討されている．本報告では，300 GHz 帯サブミリ波の通信応用に有望と考えられるInP 系高電子移動度トランジスタ（InP-based high mobility electron transistor: InP-HEMT），およびそのサブミリ波IC（Sub-millimeter-wave monolithic IC: SMMIC）について俯瞰する．さらに開発したInP-HEMT-SMMIC を用い，300 GHz 帯の電子デバイスベースのトランシーバとしては世界最高速となるデータレート120 Gb/s，伝送距離9.8 m を達成した無線伝送実験結果について紹介する． |
| 抄録(英) | The 300-GHz sub-millimeter-wave band is one of the candidate frequency for “Beyond 5G” networks to meet rapidly increasing traffic demands. InP-based Sub-millimeter-wave monolithic ICs (SMMICs) have attracted much attention for applying Beyond 5G because InP-based high electron mobility transistors (InP-HEMTs) feature superior RF characteristics. This paper briefly reviews fundamental physical demands and reports InP-HEMTs and wafer-level backside process technology. We also show a world-record-class 120-Gb/s wireless transmission with the distance of 9.8 m by using InP-HEMT-SMMIC modules with 300-GHz band. |
| キーワード(和) | Beyond 5G / サブミリ波IC / インジウム燐 / 高電子移動度電界効果トランジスタ / ウェハレベル裏面配線プロセス / 裏面配線 |
| キーワード(英) | Beyond 5G / Sub-millimeter-wave monolithic ICs / Indium phosphide / High electron mobility transistors / Wafer-level backside process / backside lines |
| 資料番号 | MWP2020-1 |
| 発行日 | 2020-05-21 (MWP) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWP |
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| 開催期間 | 2020/5/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | モバイル |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 吉本 直人(千歳科技大) |
| 委員長氏名（英） | Naoto Yoshimoto(Chitose Inst. of Science and Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 枚田 明彦(千葉工大) |
| 副委員長氏名（英） | Akihiko Hirata(Chiba Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 相葉 孝充(矢崎総業) / 菅野 敦史(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takamitsu Aiba(Yazaki) / Atsushi Kanno(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 研介(電中研) / 易 利(阪大) / 山田 崇史(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kensuke Ikeda(CRIEPI) / Li Yi(Osaka Univ.) / Takashi Yamada(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwave and Millimeter-wave Photonics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Fabrication Process of InP-HEMT-based Sub-millimeter Wave ICs for Beyond 5G Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Beyond 5G / Beyond 5G |
| キーワード(2)（和/英） | サブミリ波IC / Sub-millimeter-wave monolithic ICs |
| キーワード(3)（和/英） | インジウム燐 / Indium phosphide |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度電界効果トランジスタ / High electron mobility transistors |
| キーワード(5)（和/英） | ウェハレベル裏面配線プロセス / Wafer-level backside process |
| キーワード(6)（和/英） | 裏面配線 / backside lines |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 濱田 裕史 / Hiroshi Hamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野坂 秀之 / Hideyuki Nosaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松崎 英昭 / Hideaki Matsuzaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2020-05-28 |
| 資料番号 | MWP2020-1 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | MWP-44 |
| ページ範囲 | pp.1-6(MWP), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-05-21 (MWP) |