| 講演名 | 2020-04-13 ［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 市川 和典(松江高専), |
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| 抄録(和) | 我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ないグラフェンの合成に取り組んでいる. これまで酸化されたNi上のグラフェン合成が可能であり, 酸素導入により電流値の向上が明かになっている。そこで本研究においてグラフェン合成前に酸素濃度を詳細に変化させたところ90％〜100%の高濃度で高い電流値が得られ,濃度変化による層数制御を可能にした. また, 酸素導入により形成されたNi酸化物半導体とグラフェンのヘテロ構造を明らかにし, 高い電流値が得られた酸素濃度65, 90％におけるグラフェンTFTを作製した結果, 各酸素濃度で転写フリ−グラフェンTFTの動作に成功し, 酸素を導入しない場合に比べてドレイン電流が増大しOn/Off比が向上した。更に相互コンダクタンスについても向上し90％でホール移動5000 cm2/Vsの高移動度を示した. |
| 抄録(英) | We attempted to form graphene directly on an oxidized Ni layer and measurement of thin film transistor (TFT) with graphene was synthesized in several oxygen concentration for the hetero structure. From results, Dirac points were appeared all graphene TFTs. Compared to the oxygen concentration of 0%, graphene TFT with oxygen concentration of 90% exhibited high performance transfer characteristics with enhanced hall mobility of 5000 cm/Vs, On/Off ratio of 40 to 47. These results will provide important information for the design of high-mobility TFT architectures for various applications. |
| キーワード(和) | グラフェン / 薄膜トランジスタ / ヘテロ接合 |
| キーワード(英) | graphene / Thin film transistor / Hetero junction |
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| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2020/4/13(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 真島 豊(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 山田 俊樹(NICT) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Toshiki Yamada(NICT) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(キオクシア) / 田口 大(東工大) / 梶井 博武(阪大) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(KIOXIA) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) / 清家 善之(愛知工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Improving the characteristics of graphene TFT using graphene/Ni compound semiconductor hetero-junction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / Hetero junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市川 和典 / Kazunori Ichikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松江工業高等専門学校(略称：松江高専) National Institute of Technology, Matsue College(略称：NIT Matsue Col) |
| 発表年月日 | 2020-04-13 |
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| 巻番号（vol） | vol. |
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| ページ範囲 | pp.-(), |
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