講演名 2020-03-05
[Memorial Lecture] Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance
木下 怜佳(中大), 松井 千尋(中大), 鈴木 敦也(中大), 福山 将平(中大), 竹内 健(中大),
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抄録(和)
抄録(英) Storage Class Memories (SCMs) are used as non-volatile (NV) cache memory as well as storage. Multi-SCM storage with two types of SCMs, M-SCM (fast but small capacity memory-type SCM) and S-SCM (slow but large capacity storage-type SCM), has been proposed. In Multi-SCM storage, M-SCM works as NV-cache of S-SCM based storage. M-SCM such as MRAM is fast but may suffer from thermal instabilities and cause data-retention errors at high temperature. Therefore, data in M-SCM should be evicted to S-SCM at short interval before exceeding acceptable data-retention time. However, in case of short interval eviction, frequent data eviction from M-SCM to S-SCM severely degrades the storage system performance. To resolve this trade-off between data-retention reliability and the storage system performance, this paper proposes workload-aware data-eviction self-adjusting system. Proposed system is composed of Access Frequency Monitor (Proposal 1) and Evict Interval Adjustment (Proposal 2). Proposal 1 observes the access frequency of evicted data that directly affects data-retention time of M-SCM. By referring to the results of Proposal 1, Proposal 2 automatically changes the data-eviction interval so that long retention data are moved immediately to S-SCM and the storage system performance can be improved. As a result, maximum data-retention time of M-SCM decreases by 83%, and the storage system performance increases by 5.9 times. Moreover, the acceptable endurance increases by 103 times. Finally, measured data-retention errors and memory cell area decrease by 79% and 5.7%, respectively.
キーワード(和)
キーワード(英) Storage class memory (SCM)ReRAMData-retention errorData eviction
資料番号 VLD2019-119,HWS2019-92
発行日 2020-02-26 (VLD, HWS)

研究会情報
研究会 HWS / VLD
開催期間 2020/3/4(から4日開催)
開催地(和) 沖縄県青年会館
開催地(英) Okinawa Ken Seinen Kaikan
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般
テーマ(英) Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc.
委員長氏名(和) 川村 信一(東芝) / 戸川 望(早大)
委員長氏名(英) Shinichi Kawamura(Toshiba) / Nozomu Togawa(Waseda Univ.)
副委員長氏名(和) 池田 誠(東大) / 島崎 靖久(ルネサスエレクトロニクス) / 福田 大輔(富士通研)
副委員長氏名(英) Makoto Ikeda(Univ. of Tokyo) / Yasuhisa Shimazaki(Renesas Electronics) / Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.)
幹事氏名(和) 国井 裕樹(セコム) / 小野 貴継(九大) / 小平 行秀(会津大) / 桜井 祐市(日立)
幹事氏名(英) Hiroki Kunii(SECOM) / Takatsugu Ono(Kyushu Univ.) / Yukihide Kohira(Univ. of Aizu) / Yuichi Sakurai(Hitachi)
幹事補佐氏名(和) / 池田 一樹(日立)
幹事補佐氏名(英) / Kazuki Ikeda(Hitachi)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Hardware Security / Technical Committee on VLSI Design Technologies
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Memorial Lecture] Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Storage class memory (SCM)ReRAMData-retention errorData eviction
第 1 著者 氏名(和/英) 木下 怜佳 / Reika Kinoshita
第 1 著者 所属(和/英) 中央大学(略称:中大)
Chuo University(略称:Chuo Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 松井 千尋 / Chihiro Matsui
第 2 著者 所属(和/英) 中央大学(略称:中大)
Chuo University(略称:Chuo Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 鈴木 敦也 / Atsuya Suzuki
第 3 著者 所属(和/英) 中央大学(略称:中大)
Chuo University(略称:Chuo Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 福山 将平 / Shouhei Fukuyama
第 4 著者 所属(和/英) 中央大学(略称:中大)
Chuo University(略称:Chuo Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 竹内 健 / Ken Takeuchi
第 5 著者 所属(和/英) 中央大学(略称:中大)
Chuo University(略称:Chuo Univ.)
発表年月日 2020-03-05
資料番号 VLD2019-119,HWS2019-92
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) VLD-443,HWS-444
ページ範囲 pp.145-150(VLD), pp.145-150(HWS),
ページ数 6
発行日 2020-02-26 (VLD, HWS)