| 講演名 | 2020-02-07 ［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果 山口 直(ルネサス エレクトロニクス), 前川 径一(ルネサス エレクトロニクス), 大原 隆裕(ルネサス エレクトロニクス), 天羽生 淳(ルネサス エレクトロニクス), 佃 栄次(ルネサス エレクトロニクス), 園田 賢一郎(ルネサス エレクトロニクス), 柳田 博史(ルネサス エレクトロニクス), 井上 真雄(ルネサス エレクトロニクス), 松浦 正純(ルネサス エレクトロニクス), 山下 朋弘(ルネサス エレクトロニクス), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2019-89 |
| 発行日 | 2020-01-31 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2020/2/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) |
| 開催地（英） | Tokyo University-Hongo |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(キオクシア) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(KIOXIA) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 直 / Tadashi Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前川 径一 / Keiichi Maekawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大原 隆裕 / Takahiro Ohara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 天羽生 淳 / Atsushi Amo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佃 栄次 / Eiji Tsukuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 柳田 博史 / Hiroshi Yanagita |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 井上 真雄 / Masao Inoue |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 松浦 正純 / Masazumi Matsuura |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corp.(略称：Renesas) |
| 発表年月日 | 2020-02-07 |
| 資料番号 | SDM2019-89 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-410 |
| ページ範囲 | pp.5-8(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-01-31 (SDM) |