| 講演名 | 2020-01-28 ［招待講演］Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution 前川 径一(ルネサス), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2019-83 |
| 発行日 | 2020-01-21 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2020/1/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(キオクシア) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(KIOXIA) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前川 径一 / Keiichi Maekawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサス(略称：ルネサス) renesas(略称：renesas) |
| 発表年月日 | 2020-01-28 |
| 資料番号 | SDM2019-83 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-397 |
| ページ範囲 | pp.5-8(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-01-21 (SDM) |