| 講演名 | 2020-01-28 ［招待講演］重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 野口 将希(キオクシア), 磯貝 達典(キオクシア), 山下 博幸(キオクシア), 澤 敬一(キオクシア), 藤塚 良太(キオクシア), 山中 孝紀(キオクシア), 岡田 俊祐(キオクシア), 青山 知憲(キオクシア), 相宗 史記(キオクシア), 阿部 淳子(キオクシア), 小川 義宏(キオクシア), 中川 聖士(キオクシア), 宮島 秀史(キオクシア), |
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| 抄録(和) | 信頼性の高い不揮発性メモリを実現するために、メモリセル絶縁膜の電荷保持特性の向上が望まれている。セル絶縁膜の一部であるトンネル絶縁膜(TNL-SiON)と電荷蓄積膜(CT-SiN)の原子層堆積中において、アンモニア(NH3)の代わりに重アンモニア(ND3)を窒化剤として用いることで、膜中のダングリングボンドを水素ではなく重水素で終端することに成功した。本報では、重アンモニアを用いたSiON膜とSiN膜について、膜中の重水素に関する物理解析結果を報告する。さらに、重アンモニアを用いて成膜したTNL-SiON膜およびCT-SiN膜を適用したMONOSキャパシタを作製し、書込み・消去動作に対する電気ストレス耐性や電荷保持特性が向上した結果も報告する。 |
| 抄録(英) | For high reliability non-volatile memory cell dielectrics, hydrogen-free deuterated tunnel SiON and charge-trap SiN films are demonstrated. By using deuterated ammonia (ND3) instead of ammonia (NH3) as nitridation species in ALD cycles, an ultra-high deuterium/hydrogen ratio has been successfully obtained in both films, and these films showed good endurance for program / erase stress and data retention properties in MONOS capacitors. |
| キーワード(和) | セル信頼性 / 重アンモニア / 重水素 / 水素 / 原子層堆積 / 電荷保持特性 |
| キーワード(英) | Reliability / ND3 / Deuterium / Hydrogen / ALD / Data Retention / DR |
| 資料番号 | SDM2019-82 |
| 発行日 | 2020-01-21 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2020/1/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(キオクシア) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(KIOXIA) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Formation of High Reliability Hydrogen-free MONOS Cells Using Deuterated Ammonia |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | セル信頼性 / Reliability |
| キーワード(2)（和/英） | 重アンモニア / ND3 |
| キーワード(3)（和/英） | 重水素 / Deuterium |
| キーワード(4)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(5)（和/英） | 原子層堆積 / ALD |
| キーワード(6)（和/英） | 電荷保持特性 / Data Retention |
| キーワード(7)（和/英） | / DR |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 将希 / Masaki Noguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 磯貝 達典 / Tatsunori Isogai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 博幸 / Hiroyuki Yamashita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤 敬一 / Keiichi Sawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤塚 良太 / Ryota Fujitsuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山中 孝紀 / Takanori Yamanaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岡田 俊祐 / Shunsuke Okada |
| 第 7 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 青山 知憲 / Tomonori Aoyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 相宗 史記 / Fumiki Aiso |
| 第 9 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 阿部 淳子 / Junko Abe |
| 第 10 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 小川 義宏 / Yoshiro Ogawa |
| 第 11 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 中川 聖士 / Seiji Nakagawa |
| 第 12 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 宮島 秀史 / Hideshi Miyajima |
| 第 13 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corporation(略称：KIOXIA) |
| 発表年月日 | 2020-01-28 |
| 資料番号 | SDM2019-82 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-397 |
| ページ範囲 | pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-01-21 (SDM) |