| 講演名 | 2020-01-31 InSb素子を用いたTHzセンサの比較検討 中野 純(法政大), 柴山 純(法政大), 山内 潤治(法政大), 中野 久松(法政大), |
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| 抄録(和) | 半導体のアンチモン化インジウム(InSb)を用いたテラヘルツ(THz)センサの比較検討を行う．クロスダイポール型，ディスク型，球型のInSb素子をそれぞれ用いた3種類のTHzセンサを有限差分時間領域法により解析する．センサの性能を定量的に評価するために，半値全幅，感度及び性能指数(FoM)を用いる．はじめに，試料の屈折率変化に対するセンサの基本特性を検討する．屈折率を大きくするにつれピーク周波数が低周波側にシフトし，このピーク周波数を検知することでセンサとして機能することを明示する．次に，各素子長を調節することで，FoMを向上できることを明らかにする．最後に，センサの性能比較を行い，ディスク型や球型に比べ，クロスダイポール型では高いFoMの得られることを示す． |
| 抄録(英) | We investigate and compare terahertz (THz) sensors with indium antimonide (InSb) elements. THz sensors with cross-dipole, disk and sphere elements made of InSb are analyzed using the finite-difference time-domain method. The full width at half maximum (or half minimum), sensitivity, and figure of merit (FoM) are used to quantitatively evaluate the sensor performance. First, we investigate the transmittance of the sensors with respect to changes in the refractive index of the analyte. As the refractive index is increased, the peak frequency shifts to the low frequency side. This peak frequency shift leads to a possibility to detect the value of the refractive index. Next, it is shown that the FoM can be improved by adjusting the length of each element. Finally, we compare the performance of the three sensors. It is shown that the cross-dipole sensor provides a high FoM compared to the disk and sphere sensors. |
| キーワード(和) | 周期境界条件 / InSb / THz波 / 有限差分時間領域(FDTD)法 / 性能指数(FoM) |
| キーワード(英) | Periodic boundary condition (PBC) / Indium antimonide (InSb) / Terahertz (THz) wave / Finite-difference time-domain (FDTD) method / Figure of merit (FoM) |
| 資料番号 | EST2019-97 |
| 発行日 | 2020-01-23 (EST) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST |
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| 開催期間 | 2020/1/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 別府国際コンベンションセンター（小会議室31） |
| 開催地（英） | Beppu International Convention Center |
| テーマ（和） | シミュレーション技術、一般 |
| テーマ（英） | Simulation Technique, etc. |
| 委員長氏名（和） | 平田 晃正(名工大) |
| 委員長氏名（英） | Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 大貫 進一郎(日大) / 君島 正幸(アドバンテスト研) / 柴山 純(法政大) |
| 副委員長氏名（英） | Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) / Masayuki Kimishima(Advantest) / Jun Shibayama(Hosei Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 園田 潤(仙台高専) / 須賀 良介(青学大) |
| 幹事氏名（英） | Jun Sonoda(National Inst. of Tech.,Sendai College) / Ryosuke Suga(Aoyama Gakuin Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 伊藤 孝弘(名工大) / 藤田 和広(富士通) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Ito(Nagoya Inst. of Tech.) / Kazuhiro Fujita(Fujitsu) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronics Simulation Technology |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InSb素子を用いたTHzセンサの比較検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparative Study of THz sensors with InSb elements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 周期境界条件 / Periodic boundary condition (PBC) |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / Indium antimonide (InSb) |
| キーワード(3)（和/英） | THz波 / Terahertz (THz) wave |
| キーワード(4)（和/英） | 有限差分時間領域(FDTD)法 / Finite-difference time-domain (FDTD) method |
| キーワード(5)（和/英） | 性能指数(FoM) / Figure of merit (FoM) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中野 純 / Jun Nakano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴山 純 / Jun Shibayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山内 潤治 / Junji Yamauchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中野 久松 / Hisamatsu Nakano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-01-31 |
| 資料番号 | EST2019-97 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | EST-407 |
| ページ範囲 | pp.91-96(EST), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-01-23 (EST) |