| 講演名 | 2020-01-24 ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 河野 守哉(高知工科大), 森 海(高知工科大), 是友 大地(高知工科大), 古田 守(高知工科大), |
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| 抄録(和) | フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)絶縁膜の膜物性を評価した結果、熱処理温度150℃、膜厚20 nmにおいて6.2 MV/cmと良好な絶縁破壊電界強度を示した。このAl2O3をゲート絶縁膜に用い、最高プロセス温度150℃にてInGaZnOx (IGZO) TFTを作製した結果、ゲート絶縁膜厚20 nmにおいても1 pA以下の低リーク電流かつ、良好な特性を実現した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | InGaZnO(IGZO) / 酸化アルミニウム / 陽極酸化 / 薄膜トランジスタ（TFT） |
| キーワード(英) | InGaZnO(IGZO) / Aluminum oxide / anodization / Thin Film Transistor (TFT) |
| 資料番号 | EID2019-16 |
| 発行日 | 2020-01-16 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / ITE-IDY / IEIJ-SSL / SID-JC / IEE-EDD |
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| 開催期間 | 2020/1/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 鳥取大鳥取キャンパス |
| 開催地（英） | Tottori Univ. |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 木村 宗弘(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Munehiro Kimura(Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 都築 俊満(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshimitsu Tsuzuki(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 中村 篤志(静岡大) / 石鍋 隆宏(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) / Takahiro Ishinabe(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 長谷川 拓哉(高知大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Okuno(Huawei) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Takuya Hasegawa(Koch Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / * / Society for Informtion Display Japan Chapter / Technical Group on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Physical properties of anodized aluminum oxide for low temperature processed IGZO thin-film transistors. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO(IGZO) / InGaZnO(IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化アルミニウム / Aluminum oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 陽極酸化 / anodization |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ（TFT） / Thin Film Transistor (TFT) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河野 守哉 / Kono Shuya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University Of Technology(略称：KUT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 海 / Mori Marin |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University Of Technology(略称：KUT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 是友 大地 / Koretomo Daichi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University Of Technology(略称：KUT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古田 守 / Furuta Mamoru |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University Of Technology(略称：KUT) |
| 発表年月日 | 2020-01-24 |
| 資料番号 | EID2019-16 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | EID-385 |
| ページ範囲 | pp.129-131(EID), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2020-01-16 (EID) |