| 講演名 | 2019-12-24 SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 古川 暢昭(奈良先端大), 上沼 睦典(奈良先端大), 石河 泰明(奈良先端大), 浦岡 行治(奈良先端大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EID2019-5,SDM2019-80 |
| 発行日 | 2019-12-17 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / EID / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2019/12/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | 奈良先端大(物質領域 大講義室） |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | Semiconductor Material Process and Device Meeting |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 山口 留美子(秋田大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 山口 雅浩(東工大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(キオクシア) / 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(KIOXIA) / Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Okuno(Huawei) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluate interface charges and bulk oxide charges on SiO2/GaN MOS structure before and after post-metallization annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古川 暢昭 / Masaaki Furukawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 発表年月日 | 2019-12-24 |
| 資料番号 | EID2019-5,SDM2019-80 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | EID-355,SDM-356 |
| ページ範囲 | pp.1-4(EID), pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-12-17 (EID, SDM) |