講演名 2019-12-23
層状半導体InSe結晶の低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性
唐 超(東北大), 佐藤 陽平(東北大), 渡辺 克也(東北大), 大崎 淳也(東北大), 田邉 匡生(東北大), 小山 裕(東北大),
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抄録(和)
抄録(英) Two-dimensional materials, including InSe and GaSe have attracted more and more attentions nowadays. The high quality InSe crystals have been successfully grown by the temperature difference method under controlled vapor pressure (TDM-CVP), in which the crystals can be prepared at the temperature far lower than their melting point. It is confirmed by characterizations such as Raman spectroscopy and X-ray diffraction that the as-grown crystals have favorable crystallinity, which may attribute to the low-temperature and static growth process. On the other hand, it is known that the GaSe is a typical nonlinear optic crystal used for frequency conversion. We analyzed the nonlinear optical coefficient theoretically by density function theory and confirmed the result in infrared range by second harmonic generation (SHG) experiments. The calculation matches to experiment exactly and also indicate that the InSe, with similar lattice structure with GaSe, also has potential of nonlinear optical application. Indeed, in our previous transmittance measurement on InSe using different frequency generation (DFG) terahertz light source, it was shown that the absorption in terahertz range of InSe was far smaller than that of GaSe. The present study has clarified the potential of InSe to be applied as nonlinear optical crystal for THz generation.
キーワード(和) ファンデルワールス結晶 / インジウムセレンナイド / 結晶成長
キーワード(英) Van der Waals Crystal / InSe / Crystal growth
資料番号 ED2019-79
発行日 2019-12-16 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2019/12/23(から2日開催)
開催地(和) 東北大学・電気通信研究所
開催地(英)
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
テーマ(英)
委員長氏名(和) 須原 理彦(首都大)
委員長氏名(英) Michihiko Suhara(TMU)
副委員長氏名(和) 藤代 博記(東京理科大)
副委員長氏名(英) Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science)
幹事氏名(和) 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(富山県立大)
幹事氏名(英) Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.)
幹事補佐氏名(和) 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT)
幹事補佐氏名(英) Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 ENG-JTITLE
タイトル(和) 層状半導体InSe結晶の低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) The crystal growth and optical properties of layered semiconductor InSe
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ファンデルワールス結晶 / Van der Waals Crystal
キーワード(2)(和/英) インジウムセレンナイド / InSe
キーワード(3)(和/英) 結晶成長 / Crystal growth
第 1 著者 氏名(和/英) 唐 超 / Chao Tang
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 佐藤 陽平 / Yohei Sato
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 渡辺 克也 / Katsuya Watanabe
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 大崎 淳也 / Junya Osaki
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 田邉 匡生 / Tadao Tanabe
第 5 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 小山 裕 / Yutaka Oyama
第 6 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
発表年月日 2019-12-23
資料番号 ED2019-79
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) ED-353
ページ範囲 pp.13-15(ED),
ページ数 3
発行日 2019-12-16 (ED)