| 講演名 | 2019-11-08 ［招待講演］界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2 次元評価 塩島 謙次(福井大), |
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| 抄録(和) | 埋もれた金属／半導体界面を非破壊で2次評価できる界面顕微光応答法を開発し、ワイドバンドギャップ半導体のショットキー接触、ヘテロ界面、MIS界面を評価した．我々のこれまでの研究成果を、(1)界面の熱劣化、(2)通電劣化、(3)プロセス損傷、(4)結晶粒界、金属粒界の影響、(5)ヘテロ界面、MIS界面への応用の観点から紹介する．これらの結果は本手法がデバイス開発において有効な評価手段であることを示唆している． |
| 抄録(英) | Scanning internal photoemission spectroscopy has been developed to map the electrical characteristics of metal/semiconductor interfaces nondestructively. Our experimental demonstrations of the mapping characterization are reviewed from the aspects of (1) thermal degradation, (2) device degradation by applying high-voltage, (3) process-induced surface damages, (4) grain boundaries of semiconductors and printed metal particles, and (5) expansion to semiconductor/ semiconductor and metal-insulator-semiconductor interfaces. This technique was confirmed to be useful for the development of the wide-bandgap-semiconductor high-power devices. |
| キーワード(和) | ワイドバンドギャップ半導体 / ショットキー電極 / 界面顕微光応答法 / 2次元評価 |
| キーワード(英) | wide-bandgap semiconductor / Schottky contacts / scanning internal photoemission microscopy / 2-dimentional characterization |
| 資料番号 | CPM2019-51 |
| 発行日 | 2019-10-31 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2019/11/7(から2日開催) |
| 開催地（和） | 福井大学 文京キャンパス |
| 開催地（英） | Fukui univ. |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) |
| 委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 副委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2 次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ワイドバンドギャップ半導体 / wide-bandgap semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contacts |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元評価 / 2-dimentional characterization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 発表年月日 | 2019-11-08 |
| 資料番号 | CPM2019-51 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | CPM-271 |
| ページ範囲 | pp.35-38(CPM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-10-31 (CPM) |