講演名 2019-11-07
触媒反応支援CVD法におけるZnO膜への窒素ドーピング
伊庭 竜太(長岡技科大), 神林 広樹(長岡技科大), 安達 雄大(長岡技科大), 大石 耕一郎(長岡高専), 片桐 裕則(長岡高専), 安井 寛治(長岡技科大),
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抄録(和) 我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相中で反応させ生成したZnOプリカーサを基板に供給するCVD法を考案し、a面サファイア基板上にエピタキシャル膜の成長を試みた結果、電気的・光学的特性に優れたn型ZnO結晶膜を得た。p型結晶膜の作製を目指し様々なガスを用いてZnO膜への窒素ドーピングを試みてきたが、膜中への窒素の取り込みが充分ではない。そこで今回、一酸化炭素(NO)ガスの加熱金属触媒体(Ir)表面での分解反応により生成した窒素ラジカルを供給することで窒素ドーピングを試みた。NOガス圧力を変化させ、膜特性に与える影響について調べたので、その結果について報告する。
抄録(英) The large bandgap and large exciton binding energy of ZnO have recently stimulated intensive research into optoelectronic device applications, such as light-emitting diodes and laser diodes in the ultraviolet region. We previously developed a new chemical vapor deposition method for ZnO film growth using a catalytic reaction over Pt-nanoparticles between hydrogen and oxygen. ZnO films grown on a-plane sapphire substrates using this method exhibited excellent optical and electronic properties. In order to fabricate ZnO-based light-emitting diodes and laser diodes, preparation of p-type ZnO films is required. In the present study, we have attempted nitrogen doping of ZnO films by decomposition of NO gas using a heated Ir wire during film growth. The amount of nitrogen incorporated in the film and its bonding structure were evaluated using secondary ion mass spectrometry and X-ray photoelectron spectroscopy.
キーワード(和) 触媒反応 / 高エネルギーH2O / 加熱Irワイア / 窒素ドーピング
キーワード(英) catalytic reaction / high-temperature H2O beam / Ir hot-wire / nitrogen doping
資料番号 CPM2019-47
発行日 2019-10-31 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2019/11/7(から2日開催)
開催地(和) 福井大学 文京キャンパス
開催地(英) Fukui univ.
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 武山 真弓(北見工大)
委員長氏名(英) Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.)
副委員長氏名(和) 中村 雄一(豊橋技科大)
副委員長氏名(英) Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)
幹事氏名(和) 中澤 日出樹(弘前大)
幹事氏名(英) Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
幹事補佐氏名(和) 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大)
幹事補佐氏名(英) Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 触媒反応支援CVD法におけるZnO膜への窒素ドーピング
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nitrogen doping to ZnO films in a catalytic reaction assisted chemical vapor deposition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 触媒反応 / catalytic reaction
キーワード(2)(和/英) 高エネルギーH2O / high-temperature H2O beam
キーワード(3)(和/英) 加熱Irワイア / Ir hot-wire
キーワード(4)(和/英) 窒素ドーピング / nitrogen doping
第 1 著者 氏名(和/英) 伊庭 竜太 / Ryuta Iba
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学(略称:長岡技科大)
Nagaoka Uvibersity of technology(略称:NUT)
第 2 著者 氏名(和/英) 神林 広樹 / Hiroki Kambayashi
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学(略称:長岡技科大)
Nagaoka Uvibersity of technology(略称:NUT)
第 3 著者 氏名(和/英) 安達 雄大 / Yuki Adachi
第 3 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学(略称:長岡技科大)
Nagaoka Uvibersity of technology(略称:NUT)
第 4 著者 氏名(和/英) 大石 耕一郎 / Koichiro Oishi
第 4 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校(略称:長岡高専)
National Institute of Technology, Nagaoka College(略称:NITNC)
第 5 著者 氏名(和/英) 片桐 裕則 / Hironori Katagiri
第 5 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校(略称:長岡高専)
National Institute of Technology, Nagaoka College(略称:NITNC)
第 6 著者 氏名(和/英) 安井 寛治 / Kanji Yasui
第 6 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学(略称:長岡技科大)
Nagaoka Uvibersity of technology(略称:NUT)
発表年月日 2019-11-07
資料番号 CPM2019-47
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) CPM-271
ページ範囲 pp.15-19(CPM),
ページ数 5
発行日 2019-10-31 (CPM)