講演名 2019-11-07
窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内 公哉(弘前大), 中村 和樹(弘前大), 郡山 春人(弘前大), 小林 康之(弘前大), 遠田 義晴(弘前大), 鈴木 裕史(東北大), 末光 眞希(東北大), 中澤 日出樹(弘前大),
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抄録(和) 希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空中ポストアニールが膜特性に及ぼす影響について調べた。235~270°Cの真空中ポストアニールによって、光学バンドギャップはわずかに増加した。これは、バンドギャップ中の欠陥準位密度が減少したことを示唆する。一方420~490°Cの真空中ポストアニールによって、光学バンドギャップは減少した。このとき、膜中の結合水素量が減少し、sp2C=Cの増加およびsp2炭素のクラスター化が促進されていることがわかった。N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性を調べた結果、490°Cのアニールを施したN-DLC/p型Siヘテロ接合の整流比が最も大きくなった。
抄録(英) We have prepared nitrogen doped diamond-like carbon (N-DLC) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using H2 as a dilution gas and investigated the effects of post-annealing in a vacuum on the film properties. We found that optical bandgap slightly increased after post-annealing at 235 to 270°C, suggesting that the density of defect levels in bandgap decreased. On the other hand, it was found that the optical bandgap decreased after post-annealing at 420 to 490°C. At these temperatures, the amount of bound hydrogen in the films tended to decrease, whereas sp2C=C bonds increased and their clustering was enhanced. We examined the current-voltage characteristics of N-DLC/p-type Si heterojunctions and found that the heterojunction annealed at 490°C exhibited the highest rectification ratio.
キーワード(和) ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / 窒素 / ポストアニール
キーワード(英) Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Nitrogen / Post-annealing
資料番号 CPM2019-46
発行日 2019-10-31 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2019/11/7(から2日開催)
開催地(和) 福井大学 文京キャンパス
開催地(英) Fukui univ.
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 武山 真弓(北見工大)
委員長氏名(英) Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.)
副委員長氏名(和) 中村 雄一(豊橋技科大)
副委員長氏名(英) Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)
幹事氏名(和) 中澤 日出樹(弘前大)
幹事氏名(英) Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
幹事補佐氏名(和) 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大)
幹事補佐氏名(英) Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
サブタイトル(和)
タイトル(英) Annealing effects on the properties of nitrogen doped DLC films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition
キーワード(3)(和/英) 窒素 / Nitrogen
キーワード(4)(和/英) ポストアニール / Post-annealing
第 1 著者 氏名(和/英) 長内 公哉 / Hiroya Osanai
第 1 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 和樹 / Kazuki Nakamura
第 2 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 郡山 春人 / Haruto Koriyama
第 3 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi
第 4 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta
第 5 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki
第 6 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 末光 眞希 / Maki Suemitsu
第 7 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa
第 8 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
発表年月日 2019-11-07
資料番号 CPM2019-46
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) CPM-271
ページ範囲 pp.9-14(CPM),
ページ数 6
発行日 2019-10-31 (CPM)