| 講演名 | 2019-11-21 c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 原田 紘希(名工大), 三好 実人(名工大), 江川 孝志(名工大), 竹内 哲也(名城大), |
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| 抄録(和) | 可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテンプレート上に150nmを超える四元AlxGayInzN膜(0.532???x???0.716, 0.146???y???0.366, 0.092???z???0.182)を成長した。サファイア上のGaNに格子整合する合金組成に近いAlGaInN膜はエピタキシャルに成長していることが確認され、格子歪みの強さとその方向に関係なく比較的平坦な表面を示した。AlGaInN膜の結晶品質は、下地GaN膜の結晶品質を引き継いでいることが観察された。またその屈折率は可視波長域で約2.3~2.4の範囲であり、その合金組成にはほとんど依存しない結果となった。分光エリプソメトリー(SE)とフォトルミネッセンス(PL)測定結果より、MOCVD成長したAlGaInN膜は吸収端波長に影響を与えるほどの組成変動があることが示された。 |
| 抄録(英) | Quaternary AlGaInN films with thickness greater than 150?nm are grown on c-plane GaN-on-sapphire templates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The AlxGayInzN films near alloy composition lattice‐matching to GaN on sapphire (0.532???x???0.716, 0.146???y???0.366, and 0.092???z???0.182) are confirmed to be epitaxially grown, and they show relatively flat surfaces regardless of their lattice strain and their direction. The crystal mosaicity in the AlGaInN films is observed to take over that of the underlying GaN films. The refractive index of AlGaInN films ranges from ?2.4 to 2.3 in the whole visible wavelengths, largely independent of their alloy compositions. Spectroscopic ellipsometry and photoluminescence analyses indicate that the MOCVD-grown AlGaInN films have a certain degree of compositional fluctuation affecting their optical band edges. |
| キーワード(和) | AlGaInN / AlGaInN/GaN構造 / MOCVD |
| キーワード(英) | AlGaInN / AlGaInN/GaN structure / MOCVD |
| 資料番号 | ED2019-45,CPM2019-64,LQE2019-88 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2019/11/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 有賀 博(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
| 委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 八坂 洋(東北大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 川北 泰雅(古河電工) / 永井 正也(阪大) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(富山県立大) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中島 史人(NTT) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Fumito Nakajima(NTT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth, crystall and optical characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films nearly lattice-matched to GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaInN/GaN構造 / AlGaInN/GaN structure |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原田 紘希 / Hiroki Harada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-21 |
| 資料番号 | ED2019-45,CPM2019-64,LQE2019-88 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ED-302,CPM-303,LQE-304 |
| ページ範囲 | pp.53-56(ED), pp.53-56(CPM), pp.53-56(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |