| 講演名 | 2019-11-21 MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 山中 瑞樹(名工大), 三好 実人(名工大), 江川 孝志(名工大), 岡田 成仁(山口大), 只友 一行(山口大), 竹内 哲也(名城大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2019-44,CPM2019-63,LQE2019-87 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2019/11/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 有賀 博(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
| 委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 八坂 洋(東北大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 川北 泰雅(古河電工) / 永井 正也(阪大) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(富山県立大) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中島 史人(NTT) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Fumito Nakajima(NTT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of thick AlInN films on GaN and GaInN by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山中 瑞樹 / Mizuki Yamanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 成仁 / Narihito Okada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学(略称：山口大) Yamaguchi University(略称：Yamaguchi Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 只友 一行 / Kazuyuki Tadatomo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山口大学(略称：山口大) Yamaguchi University(略称：Yamaguchi Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-21 |
| 資料番号 | ED2019-44,CPM2019-63,LQE2019-87 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ED-302,CPM-303,LQE-304 |
| ページ範囲 | pp.49-52(ED), pp.49-52(CPM), pp.49-52(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |