| 講演名 | 2019-11-14 6－10GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの極低温特性 清水 駿斗(鹿児島大), 岩下 雄大(鹿児島大), 岩本 遼太郎(鹿児島大), 河口 民雄(東芝), 西川 健二郎(鹿児島大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本研究では，77Kで動作し，雑音特性に優れた6-10 GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの報告を行う．試作したLNAMMICの設計精度をあげるため，使用するGaAs pHEMT線形等価回路において各素子に温度特性パラメータを入れ込んだモデルを提案・作成している．MMICは，UMS社の0.25?m GaAs pHEMT（PH25）プロセスを用いて試作している．試作したLNA MMICは，77K動作において，6~10GHzで利得15dB以上，雑音指数0.3dB未満，入出力反射損失10dB以上を実現している．また，7GHzでは利得20dB，雑音指数0.11dB（雑音温度7.7K）を実現している．消費電力は25mWであり，MMICサイズは1.4mm x 1.0mmである．これらの性能は，動作温度10K~20KでのLNAの性能と同じレベルであり，極低温受信システムの高性能化，低コスト化への寄与が期待できる． |
| 抄録(英) | This paper demonstrates a cryogenic broadband GaAs pHEMT LNA MMIC. The LNA was designed by using the modified GaAs pHEMT model, which includes the thermal characteristics of each device material. The MMIC was fabricated by using a commercial 0.25μm GaAs pHEMT process. The fabricated LNA MMIC achieved a noise figure of less than 0.3dB and an associated gain of over 15dB at 6-10 GHz. The corresponding return losses are better than 10dB. At 7GHz, the LNA realized a noise figure of 0.11dB (a noise temperature of7.7K) and an associated gain of 20dB. The power consumption is 25 mW. The MMIC size is 1.4mm x 1.0mm. These performances are the same level as those of LNAs at 10K-20K operation. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | MW2019-110 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2019/11/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | 南大東村多目的交流センター |
| 開催地（英） | Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center |
| テーマ（和） | マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) |
| 委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 新庄 真太郎(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Shintaro Shinjo(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 清水 隆志(宇都宮大) / 佐藤 優(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Masaru Sato(Fujitsu Labs.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 吉田 賢史(鹿児島大) / 高野 恭弥(東京理科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Kyoya Takano(Tokyo Univ. of Science) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 6－10GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの極低温特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 6-10GHz Cryogenic GaAs pHEMT LNA MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 駿斗 / Hayato Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学(略称：鹿児島大) Kagoshima University(略称：Kagoshima Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩下 雄大 / Yudai Iwashita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学(略称：鹿児島大) Kagoshima University(略称：Kagoshima Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩本 遼太郎 / Ryotaro Iwamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学(略称：鹿児島大) Kagoshima University(略称：Kagoshima Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河口 民雄 / Tamio Kawaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba Corp.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西川 健二郎 / Kenjiro Nishikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学(略称：鹿児島大) Kagoshima University(略称：Kagoshima Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-14 |
| 資料番号 | MW2019-110 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | MW-292 |
| ページ範囲 | pp.59-63(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |