| 講演名 | 2019-11-22 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 森 恵人(金沢工大), 高橋 佑知(金沢工大), 森本 悠也(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), 草薙 進(SONY), 蟹谷 裕也(SONY), 工藤 喜弘(SONY), 冨谷 茂隆(SONY), |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには，まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Efficiency)を正確に測定することが重要であると考えられる．これまでに，我々は光音響(PA : Photoacoustic)・発光(PL: Photoluminescence)同時計測によるIQE測定をGaN膜に適用し妥当な結果を得ている．しかしながら，この測定をInGaN単一量子井戸(SQW: Single Quantum Well)において行う場合，活性層がGaN膜に比べ非常に薄いため，PA信号強度が小さく，再現性のあるIQE測定が難しいという課題があった．そこで本研究では，PA測定のノイズ低減を行い，S/N比を1桁以上改善することに成功した．そして，この手法を用いて品質の異なる種々のInGaN SQWに対してIQE測定を行った． |
| 抄録(英) | In order to comprehensively understand the optical properties of nitride semiconductors, we believe accurate measurement of internal quantum efficiency (IQE) would be very important. In our previous studies, we performed simultaneous photoacoustic (PA) and photoluminescence (PL) measurements to estimate IQE values of GaN films and obtained reasonable results. However, the measurement was not very easy for InGaN single quantum well (SQW) samples because the active layers in InGaN SQW samples are very thin, and S/N ratio was too small to obtain reproducible results. In this study, we have successfully reduced the noise level of PA measurements by one order of magnitude. By using this method, we have measured the IQE values for various InGaN SQW samples with different qualities. |
| キーワード(和) | InGaN / 量子井戸 / 内部量子効率 / 光音響 / 輻射再結合 |
| キーワード(英) | InGaN / quantum well / internal quantum efficiency / photo-acoustic / radiative recombination |
| 資料番号 | ED2019-57,CPM2019-76,LQE2019-100 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2019/11/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) / 有賀 博(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
| 委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 八坂 洋(東北大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 川北 泰雅(古河電工) / 永井 正也(阪大) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(富山県立大) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中島 史人(NTT) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Fumito Nakajima(NTT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of Internal Quantum Efficiency in InGaN Quantum Wells by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 内部量子効率 / internal quantum efficiency |
| キーワード(4)（和/英） | 光音響 / photo-acoustic |
| キーワード(5)（和/英） | 輻射再結合 / radiative recombination |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 恵人 / Keito Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 佑知 / Yuchi Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森本 悠也 / Yuya Morimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 草薙 進 / Susumu Kusanagi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：SONY) SONY Corporation(略称：SONY) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：SONY) SONY Corporation(略称：SONY) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 工藤 喜弘 / Yoshihiro Kudo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：SONY) SONY Corporation(略称：SONY) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社(略称：SONY) SONY Corporation(略称：SONY) |
| 発表年月日 | 2019-11-22 |
| 資料番号 | ED2019-57,CPM2019-76,LQE2019-100 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ED-302,CPM-303,LQE-304 |
| ページ範囲 | pp.101-106(ED), pp.101-106(CPM), pp.101-106(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |