| 講演名 | 2019-11-28 表面に積層単分子層を形成させることによる錫の濡れ性向上についての研究 箱崎 拓海(東京電機大), トラン ミン フク(東京電機大), 齋藤 博之(東京電機大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | R2019-46 |
| 発行日 | 2019-11-21 (R) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2019/11/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | 半導体と電子デバイスの信頼性、信頼性一般 |
| テーマ（英） | Reliability of semiconductor and electronic devices, Reliability general |
| 委員長氏名（和） | 安里 彰(富士通) |
| 委員長氏名（英） | Akira Asato(Fujitsu) |
| 副委員長氏名（和） | 土肥 正(広島大) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Dohi(Hiroshima Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田村 信幸(法政大) / 井上 真二(関西大) |
| 幹事氏名（英） | Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岡村 寛之(広島大) / 横川 慎二(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shinji Yokogawa(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Reliability |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面に積層単分子層を形成させることによる錫の濡れ性向上についての研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research on improving the wettability of tin by forming a monolayer on the surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 箱崎 拓海 / Takumi Hakozaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京電機大学(略称：東京電機大) Tokyo Denki University(略称：Tokyo Denki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | トラン ミン フク / Torann Minn Huku |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京電機大学(略称：東京電機大) Tokyo Denki University(略称：Tokyo Denki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 博之 / Hiroyuki Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京電機大学(略称：東京電機大) Tokyo Denki University(略称：Tokyo Denki Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-28 |
| 資料番号 | R2019-46 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | R-315 |
| ページ範囲 | pp.19-22(R), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-21 (R) |