講演名 | 2019-11-08 高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化 松本 周作(東京理科大), 岡山 琢哉(東京理科大), 古川 昭雄(東京理科大), |
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抄録(和) | |
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資料番号 | CPM2019-50 |
発行日 | 2019-10-31 (CPM) |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2019/11/7(から2日開催) |
開催地(和) | 福井大学 文京キャンパス |
開催地(英) | Fukui univ. |
テーマ(和) | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 武山 真弓(北見工大) |
委員長氏名(英) | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
副委員長氏名(和) | 中村 雄一(豊橋技科大) |
副委員長氏名(英) | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
幹事氏名(和) | 中澤 日出樹(弘前大) |
幹事氏名(英) | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
幹事補佐氏名(英) | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Change in Electrical Characteristics with Change of Channel Structure in Integrated FET Using Piezoelectric Film P (VDF-TrFE) as Gate Insulator |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 松本 周作 / Shusaku Matsumoto |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京理科大(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Science) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 岡山 琢哉 / Takuya Okayama |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京理科大(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Science) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 古川 昭雄 / Akio Furukawa |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京理科大(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Science) |
発表年月日 | 2019-11-08 |
資料番号 | CPM2019-50 |
巻番号(vol) | vol.119 |
号番号(no) | CPM-271 |
ページ範囲 | pp.31-34(CPM), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2019-10-31 (CPM) |