講演名 2019-11-08
高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化
松本 周作(東京理科大), 岡山 琢哉(東京理科大), 古川 昭雄(東京理科大),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 CPM2019-50
発行日 2019-10-31 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2019/11/7(から2日開催)
開催地(和) 福井大学 文京キャンパス
開催地(英) Fukui univ.
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 武山 真弓(北見工大)
委員長氏名(英) Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.)
副委員長氏名(和) 中村 雄一(豊橋技科大)
副委員長氏名(英) Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)
幹事氏名(和) 中澤 日出樹(弘前大)
幹事氏名(英) Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
幹事補佐氏名(和) 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大)
幹事補佐氏名(英) Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Change in Electrical Characteristics with Change of Channel Structure in Integrated FET Using Piezoelectric Film P (VDF-TrFE) as Gate Insulator
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 松本 周作 / Shusaku Matsumoto
第 1 著者 所属(和/英) 東京理科大(略称:東京理科大)
Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Science)
第 2 著者 氏名(和/英) 岡山 琢哉 / Takuya Okayama
第 2 著者 所属(和/英) 東京理科大(略称:東京理科大)
Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Science)
第 3 著者 氏名(和/英) 古川 昭雄 / Akio Furukawa
第 3 著者 所属(和/英) 東京理科大(略称:東京理科大)
Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Science)
発表年月日 2019-11-08
資料番号 CPM2019-50
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) CPM-271
ページ範囲 pp.31-34(CPM),
ページ数 4
発行日 2019-10-31 (CPM)