| 講演名 | 2019-11-14 K帯GaN電力増幅器の出力整合回路の低損失設計手法とバイアス最適化手法に関する検討 鳥居 拓真(三菱電機), 半谷 政毅(三菱電機), 稲垣 隆二(三菱電機), 新庄 真太郎(三菱電機), |
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| 抄録(和) | 衛星通信向け電力増幅器では高効率な動作と，良好な線形性の両立が求められている．本報告ではK帯衛星通信向けのGaN電力増幅器の設計，評価結果について報告する．17.7~21GHzの広帯域における，出力整合回路の損失と帯域に対する最適設計の検討による高効率化手法，及び線形性向上によるバイアス電圧の最適化手法について検討した．試作した増幅器を評価した結果，出力電力4W，電力負荷効率30%が得られた．また，NPR=15dBcにおいて電力負荷効率26%が得られることを確認できた． |
| 抄録(英) | Power Amplifier is required to have both high efficiency and linearity in satellite communication. This paper presents the design method and measurement result of K-Band GaN power amplifier for satellite communication. Study about optimization of output matching circuit loss at 17.7 to 21 GHz to achieve high efficiency and optimization of bias condition to achieve high linearity are described. The fabricated power amplifier demonstrates 4W of output power and 30% of power added efficiency. It also demonstrates 26% of power added efficiency with 15 dBc of NPR is reached. |
| キーワード(和) | 電力増幅器 / GaN / ゲートバイアス / 相互変調歪 / 雑音対電力比 |
| キーワード(英) | Powe Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 / NPR |
| 資料番号 | MW2019-104 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2019/11/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | 南大東村多目的交流センター |
| 開催地（英） | Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center |
| テーマ（和） | マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) |
| 委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 新庄 真太郎(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Shintaro Shinjo(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 清水 隆志(宇都宮大) / 佐藤 優(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Masaru Sato(Fujitsu Labs.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 吉田 賢史(鹿児島大) / 高野 恭弥(東京理科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Kyoya Takano(Tokyo Univ. of Science) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | K帯GaN電力増幅器の出力整合回路の低損失設計手法とバイアス最適化手法に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study about Low Loss Output Matching Circuit Design and Optimization of Bias Condition for K-Band GaN Power Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / Powe Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートバイアス / Gate Bias |
| キーワード(4)（和/英） | 相互変調歪 / IM3 |
| キーワード(5)（和/英） | 雑音対電力比 / NPR |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鳥居 拓真 / Takuma Torii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 稲垣 隆二 / Ryuji Inagaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 発表年月日 | 2019-11-14 |
| 資料番号 | MW2019-104 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | MW-292 |
| ページ範囲 | pp.25-28(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |