| 講演名 | 2019-11-26 IGBT駆動用可変電圧源に関する基礎的考察 浦 千人(長崎大), 石塚 洋一(長崎大), |
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| 抄録(和) | 高電力・高電圧変換器は，産業や自動車用途などで幅広く使用されており，内部のスイッチングデバイスとしては，絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）が現在でも主流として採用されている。本稿では，DC-DCコンバータによって生成された電圧をIGBTゲート駆動回路の電圧源として使用する回路を提案する。駆動電源を制御し，IGBTの駆動に発生する電圧サージと逆回復電流を抑制することにより，IGBTの信頼性や電磁妨害(EMI)低減の向上を目的とする。シミュレーションおよび実験により，IGBTのゲート駆動波形の制御可否について確認を行う。 |
| 抄録(英) | High-power / high-voltage converters are used in housings for industrial and automotive applications, and insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are still the mainstream today as internal switching devices. In this paper, we propose a circuit that uses the voltage generated by the DC-DC converter as the voltage source of the IGBT gate drive circuit. The purpose is to improve IGBT reliability and electromagnetic interference (EMI) reduction by controlling the drive power supply and suppressing the voltage surge and reverse recovery current generated in driving the IGBT. It is confirmed whether or not the gate drive waveform of the IGBT can be controlled by simulation and experiment. |
| キーワード(和) | IGBT / GaN / ゲートドライブ回路 / スイッチング特性 / ダブルパルステスト |
| キーワード(英) | IGBT / GaN / Gate Drive / Switching Characteristic / Double Pulse Test |
| 資料番号 | EE2019-36,CPM2019-78,OME2019-22 |
| 発行日 | 2019-11-19 (EE, CPM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE / OME / CPM |
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| 開催期間 | 2019/11/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階1号室 |
| 開催地（英） | Japan Society for the Promotiton of Machine Industry |
| テーマ（和） | エネルギー技術、半導体電力変換、電池、電気化学デバイス、材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 馬場崎 忠利(NTTファシリティーズ) / 真島 豊(東工大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 委員長氏名（英） | Tadatoshi Babasaki(NTT Facilities) / Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) / 末次 正(福岡大) / 山田 俊樹(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 副委員長氏名（英） | Keiichi Hirose(NTT Facilities) / Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) / Toshiki Yamada(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 坂井 栄治(崇城大) / 松井 信正(長崎総科大) / 田口 大(東工大) / 梶井 博武(阪大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 幹事氏名（英） | Eiji Sakai(Sojo Univ.) / Nobumasa Matsui(Nagasaki Inst. of Applied Science) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 松下 傑(NTTファシリティーズ) / 押方 哲也(新電元工業) / 米澤 遊(富士通アドバンストテクノロジ) / 嘉治 寿彦(東京農工大) / 清家 善之(愛知工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Matsushita(NTT-F) / Tetsuya Oshikata(ShinDengen) / Yuu Yonezawa(FUJITSU Advanced Technologies) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications / Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | IGBT駆動用可変電圧源に関する基礎的考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Feasibility Study of Variable Voltage Sources for IGBT Drive |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートドライブ回路 / Gate Drive |
| キーワード(4)（和/英） | スイッチング特性 / Switching Characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | ダブルパルステスト / Double Pulse Test |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浦 千人 / Kazuto Ura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長崎大学(略称：長崎大) Nagasaki University(略称：Nagasaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石塚 洋一 / Yoichi Ishizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長崎大学(略称：長崎大) Nagasaki University(略称：Nagasaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-26 |
| 資料番号 | EE2019-36,CPM2019-78,OME2019-22 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | EE-309,CPM-310,OME-311 |
| ページ範囲 | pp.1-6(EE), pp.1-6(CPM), pp.1-6(OME), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-19 (EE, CPM, OME) |