| 講演名 | 2019-11-15 ホットスポットテストケースに用いられるデータベースの分析 小椋 弘貴(東工大), 高橋 秀和(東工大), 佐藤 真平(東工大), 高橋 篤司(東工大), |
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| 抄録(和) | 半導体の回路パターンの微細化に伴い光リソグラフィの重要性が増してきている．最先端のプロセスでは微細で高密な回路パターンを得るために，デザインルールを定めている．しかし，製造ばらつきによってホットスポットと呼ばれる不具合を生じる可能性の高い箇所がレイアウトに発生することがある．レイアウトにホットスポットが存在している場合は，レイアウトを修正しホットスポットを解消する．ホットスポットの解消のためには，リソグラフィシミュレーションを用いることが一般的である．シミュレーションを用いたレイアウト修正は時間がかかり，1つのホットスポット解消にさえ多大なコストを必要とする．そのためレイアウト上に存在する膨大な数のホットスポットを効率よく解消する手法が注目されている．機械学習ベースのホットスポット検出方法では，特徴量，機械学習モデルの選定と学習データが正確な検出には重要である．特に学習データの信頼性が低い場合，機械学習での検出結果の正誤が正しかった場合でも特徴量選択や選定した学習モデルの性能とは別の要素が結果に影響している可能性があり性能評価が正しく行えない可能性がある．本稿では頻繁に用いられるデータベースであるICCAD2012ベンチマークデータの分析を行う．結果，ICCAD2012ベンチマークデータはトレーニングデータとテストデータのデータ傾向が類似しているが，データの多様性がないことを確認した．これらのことから，学習データとして不十分な要素がありより良いデータセットを用いるべきであるとの結論に至った． |
| 抄録(英) | With the miniaturization of semiconductor circuit patterns, the importance of photolithography has increased. In the state-of-the-art process, design rules are established to obtain fine and dense circuit patterns. However, there are places in the layout that are likely to cause defects called hot spots due to manufacturing variations. If a hot spot exists in the layout, modify the layout to eliminate the hot spot. Lithography simulation is generally used to eliminate hot spots. Layout modification using simulation is time consuming and requires a great deal of cost to eliminate one hot spot. For this reason, attention has been paid to a method that efficiently eliminates the huge number of hot spots on the layout. In the machine learning-based hot spot detection method, feature quantity, machine learning model selection and learning data are important for accurate detection. In terms of what, when the reliability of the learning data is low, even if the correctness of the detection result in machine learning is correct, there may be factors other than the feature selection and the performance of the selected learning model. The evaluation may not be performed correctly. This paper analyzes ICCAD 2012 benchmark data, which is a frequently used database. As a result, it was confirmed that ICCAD 2012 benchmark data had similar data trends between training data and test data, but there was no data diversity. From these facts, we have concluded that there are insufficient elements as learning data and that a better data set should be used. |
| キーワード(和) | ホットスポット / ICCADベンチマークデータ |
| キーワード(英) | Hotspot / ICCAD 2012 benchmark data |
| 資料番号 | VLD2019-52,DC2019-76 |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2019/11/13(から3日開催) |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 戸川 望(早大) / 福本 聡(首都大東京) / 入江 英嗣(東大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 田宮 豊(富士通研) / / 井上 弘士(九大) |
| 委員長氏名（英） | Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Lab.) / / Hiroshi Inoue(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 鯉渕 道紘(NII) / 中島 耕太(富士通研) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(東芝メモリ) / 児玉 和也(NII) / 高橋 桂太(名大) |
| 副委員長氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Kota Nakajima(Fujitsu Lab.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Kazuya Kodama(NII) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小平 行秀(会津大) / 桜井 祐市(日立) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 津邑 公暁(名工大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 土谷 亮(滋賀県大) / 岩崎 裕江(NTT) / 佐々木 通(三菱電機) / / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(名大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ) |
| 幹事氏名（英） | Yukihide Kohira(Univ. of Aizu) / Yuichi Sakurai(Hitachi) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Akira Tsuchiya(Univ. Shiga Prefecture) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Toru Sasaki(Mitsubishi Electric) / / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Nagoya Univ.) / Miho Tanaka(Fujitsu Labs.) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 一樹(日立) / / 有間 英志(東大) / 小川 周吾(日立) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 廣瀬 哲也(阪大) / 新居 浩二(フローディア) / 久保木 猛(九大) / 海野 恭平(KDDI総合研究所) / 福嶋 慶繁(名工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuki Ikeda(Hitachi) / / Eiji Arima(Univ. of Tokyo) / Shugo Ogawa(Hitachi) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Koji Nii(Floadia) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Kyohei Unno(KDDI Research) / Norishige Fukushima(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホットスポットテストケースに用いられるデータベースの分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of databases used for hot spot test cases |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ホットスポット / Hotspot |
| キーワード(2)（和/英） | ICCADベンチマークデータ / ICCAD 2012 benchmark data |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小椋 弘貴 / Hiroki Ogura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 秀和 / Hidekazu Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 真平 / Sinpei Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 篤司 / Atsushi Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2019-11-15 |
| 資料番号 | VLD2019-52,DC2019-76 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | VLD-282,DC-283 |
| ページ範囲 | pp.191-196(VLD), pp.191-196(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC) |