| 講演名 | 2019-11-14 単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル 保坂 巧(埼玉大), 西澤 真一(福岡大), 岸田 亮(東京理科大), 松本 高士(東大), 小林 和淑(京都工繊大), |
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| 抄録(和) | 本論文ではコンパクトな負バイアス温度不安定性（NBTI）モデルを提案する．提案モデルは反応拡散（tn）およびホールトラッピング(log(t))モデルに基づいている．単発長期のDCストレス/リカバリ測定から得られたデータを利用し，DCストレス/リカバリだけでなくACストレス/リカバリを表現可能なモデルパラメータを抽出する．モデルパラメータ抽出に優先順位をつけることで，デューティ比の異なるACストレス/リカバリ特性を表現可能であることを示す． |
| 抄録(英) | In this paper, simple and compact Negative Bias Temperature Instability (NBTI) model is proposed. The model is based on the reaction-diffusion (tn) and hole-trapping (log(t)) theories. Data with a single shot of DC stress and recovery are utilized to extract model parameters. Our key idea is setting the priority in the model fitting process to be possible for replicating AC dependency of NBTI stress and recovery effect. The proposed model successfully replicates stress and recovery with various duty cycles. |
| キーワード(和) | 負バイアス温度不安定性(NBTI) / ACストレス依存性 / 反応拡散 / ホールトラッピング |
| キーワード(英) | negative bias temperature instability (NBTI) / AC stress dependency / reaction diffusion / hole trapping |
| 資料番号 | VLD2019-35,DC2019-59 |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2019/11/13(から3日開催) |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 戸川 望(早大) / 福本 聡(首都大東京) / 入江 英嗣(東大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 田宮 豊(富士通研) / / 井上 弘士(九大) |
| 委員長氏名（英） | Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Lab.) / / Hiroshi Inoue(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 鯉渕 道紘(NII) / 中島 耕太(富士通研) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(東芝メモリ) / 児玉 和也(NII) / 高橋 桂太(名大) |
| 副委員長氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Kota Nakajima(Fujitsu Lab.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Kazuya Kodama(NII) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小平 行秀(会津大) / 桜井 祐市(日立) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 津邑 公暁(名工大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 土谷 亮(滋賀県大) / 岩崎 裕江(NTT) / 佐々木 通(三菱電機) / / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(名大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ) |
| 幹事氏名（英） | Yukihide Kohira(Univ. of Aizu) / Yuichi Sakurai(Hitachi) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Akira Tsuchiya(Univ. Shiga Prefecture) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Toru Sasaki(Mitsubishi Electric) / / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Nagoya Univ.) / Miho Tanaka(Fujitsu Labs.) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 一樹(日立) / / 有間 英志(東大) / 小川 周吾(日立) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 廣瀬 哲也(阪大) / 新居 浩二(フローディア) / 久保木 猛(九大) / 海野 恭平(KDDI総合研究所) / 福嶋 慶繁(名工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuki Ikeda(Hitachi) / / Eiji Arima(Univ. of Tokyo) / Shugo Ogawa(Hitachi) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Koji Nii(Floadia) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Kyohei Unno(KDDI Research) / Norishige Fukushima(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | NBTI Model Replicating AC Stress/Recovery from a Single-shot Long-term DC Measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 負バイアス温度不安定性(NBTI) / negative bias temperature instability (NBTI) |
| キーワード(2)（和/英） | ACストレス依存性 / AC stress dependency |
| キーワード(3)（和/英） | 反応拡散 / reaction diffusion |
| キーワード(4)（和/英） | ホールトラッピング / hole trapping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 保坂 巧 / Takumi Hosaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 埼玉大学(略称：埼玉大) Saitama University(略称：Saitama Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西澤 真一 / Shinichi Nishizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福岡大学(略称：福岡大) Fukuoka University(略称：Fukuoka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸田 亮 / RYO Kishida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo university of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松本 高士 / Takashi Matsumoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：The Univ. of Tokyo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：Kyoto Institute of Tech.) |
| 発表年月日 | 2019-11-14 |
| 資料番号 | VLD2019-35,DC2019-59 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | VLD-282,DC-283 |
| ページ範囲 | pp.57-62(VLD), pp.57-62(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC) |