| 講演名 | 2019-11-15 QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 高井 良貴(中大), 福地 守(中大), 松井 千尋(中大), 木下 怜佳(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより，容量密度を大きくし，ビットコストを低減させてきた．ただし，セルあたりのビット数を増加させるとともに，読み出し・書き込みの時間は長くなる．近年，セルあたりに4ビットの情報を保持できるquadruple-level cell (QLC) NAND型フラッシュメモリが登場した．これは，NAND型フラッシュメモリの中で最も大容量・低コストではあるが，最も低速なメモリとなる．一方で，NAND型フラッシュメモリよりも高速かつ高コストなストレージクラスメモリの開発が進んでいる．本論文ではQLC NAND型フラッシュメモリに着目し，これらの複数種類の不揮発性メモリを組み合わせ，ハイブリッドSSDモデルのシミュレーション評価を行い最適な不揮発性メモリ構成を設計し解析する． |
| 抄録(英) | In order to expand capacity and reduce cost of NAND flash memory, the number of bits per cell has been increased. However, as the number of bits per cell increases, read and write latency become longer. Recently, quadruple-level cell (QLC) NAND flash that stores four bits per cell has been put into market. QLC NAND flash has the largest capacity and the lowest cost but lowest performance in NAND flash memories. On the other hand, storage class memories with higher performance and cost than NAND flash have been developed. Focusing on QLC NAND flash, hybrid SSDs configured with these non-volatile memories are evaluated by simulation, and optimal non-volatile memory configuration is analyzed. |
| キーワード(和) | QLC NAND型フラッシュメモリ / ストレージクラスメモリ / ハイブリッドSSD |
| キーワード(英) | QLC NAND flash memory / Storage class memory / Hybrid SSD |
| 資料番号 | ICD2019-41,IE2019-47 |
| 発行日 | 2019-11-07 (ICD, IE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2019/11/13(から3日開催) |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 戸川 望(早大) / 福本 聡(首都大東京) / 入江 英嗣(東大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 田宮 豊(富士通研) / / 井上 弘士(九大) |
| 委員長氏名（英） | Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Lab.) / / Hiroshi Inoue(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 鯉渕 道紘(NII) / 中島 耕太(富士通研) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(東芝メモリ) / 児玉 和也(NII) / 高橋 桂太(名大) |
| 副委員長氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Kota Nakajima(Fujitsu Lab.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Kazuya Kodama(NII) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小平 行秀(会津大) / 桜井 祐市(日立) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 津邑 公暁(名工大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 土谷 亮(滋賀県大) / 岩崎 裕江(NTT) / 佐々木 通(三菱電機) / / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(名大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ) |
| 幹事氏名（英） | Yukihide Kohira(Univ. of Aizu) / Yuichi Sakurai(Hitachi) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Akira Tsuchiya(Univ. Shiga Prefecture) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Toru Sasaki(Mitsubishi Electric) / / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Nagoya Univ.) / Miho Tanaka(Fujitsu Labs.) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 一樹(日立) / / 有間 英志(東大) / 小川 周吾(日立) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 廣瀬 哲也(阪大) / 新居 浩二(フローディア) / 久保木 猛(九大) / 海野 恭平(KDDI総合研究所) / 福嶋 慶繁(名工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuki Ikeda(Hitachi) / / Eiji Arima(Univ. of Tokyo) / Shugo Ogawa(Hitachi) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Koji Nii(Floadia) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Kyohei Unno(KDDI Research) / Norishige Fukushima(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of optimal NV-memory configuration for hybrid SSD with QLC NAND flash memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | QLC NAND型フラッシュメモリ / QLC NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ストレージクラスメモリ / Storage class memory |
| キーワード(3)（和/英） | ハイブリッドSSD / Hybrid SSD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高井 良貴 / Yoshiki Takai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福地 守 / Mamoru Fukuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松井 千尋 / Chihiro Matsui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木下 怜佳 / Reika Kinoshita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-15 |
| 資料番号 | ICD2019-41,IE2019-47 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ICD-284,IE-285 |
| ページ範囲 | pp.59-63(ICD), pp.59-63(IE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-11-07 (ICD, IE) |