| 講演名 | 2019-10-23 多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 堀内 勇介(東工大), 表 柱栄(東工大), 大見 俊一郎(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2019-58 |
| 発行日 | 2019-10-16 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2019/10/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of the multi-level operation of Hf-based MONOS nonvolatile memory utilizing multi charge trapping layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀内 勇介 / Yusuke Horiuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 表 柱栄 / Jooyoung Pyo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 発表年月日 | 2019-10-23 |
| 資料番号 | SDM2019-58 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-239 |
| ページ範囲 | pp.25-28(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-10-16 (SDM) |