| 講演名 | 2019-11-14 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化技術 阿部 真輝(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネットワークを用いて寿命を予測する手法を提案した。また、メモリ内で発生したエラーを訂正する手法を提案した。メモリのエラー特性をニューラルネットワークに学習させることで、メモリ内に発生したエラーの検出が可能になる。検出したエラーを訂正することによって、フラッシュメモリの高信頼化を実現した。以上の提案により、メモリの寿命を出荷前に予測することが可能になる。予測した寿命に基づいて選別を行い、長いデータ保持時間が求められるアーカイブなどの市場や頻繁に読み出しが行われる市場のそれぞれに、適切なチップを出荷することが実現できる。 |
| 抄録(英) | NAND flash memories have lifetime such as data-retention time and read cycles. This paper proposes neural network technique to predict lifetime of NAND flash memories. In addition, this paper proposes a method to correct cell errors of NAND flash memories. Neural network learns dependence of cell errors and can detect errors. The detected error bits are flipped and corrected. As a result, this method improves the reliability of 3D NAND flash memory. During pre-shipment test in fabs, lifetime of NAND flash memories is predicted. Based on the lifetime, NAND flash chips are sorted. Optimal chips are shipped to markets such as archives where chips with long data-retention lifetime are required and markets where data is read frequently, respectively. |
| キーワード(和) | 3次元NAND型フラッシュメモリ / ニューラルネットワーク / 誤り訂正符号 |
| キーワード(英) | NAND Flash Memory / Neural Network / Error-correcting Code |
| 資料番号 | ICD2019-30,IE2019-36 |
| 発行日 | 2019-11-07 (ICD, IE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2019/11/13(から3日開催) |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 戸川 望(早大) / 福本 聡(首都大東京) / 入江 英嗣(東大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 田宮 豊(富士通研) / / 井上 弘士(九大) |
| 委員長氏名（英） | Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Lab.) / / Hiroshi Inoue(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 鯉渕 道紘(NII) / 中島 耕太(富士通研) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(東芝メモリ) / 児玉 和也(NII) / 高橋 桂太(名大) |
| 副委員長氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Kota Nakajima(Fujitsu Lab.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Kazuya Kodama(NII) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小平 行秀(会津大) / 桜井 祐市(日立) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 津邑 公暁(名工大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 土谷 亮(滋賀県大) / 岩崎 裕江(NTT) / 佐々木 通(三菱電機) / / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(名大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ) |
| 幹事氏名（英） | Yukihide Kohira(Univ. of Aizu) / Yuichi Sakurai(Hitachi) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Akira Tsuchiya(Univ. Shiga Prefecture) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Toru Sasaki(Mitsubishi Electric) / / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Nagoya Univ.) / Miho Tanaka(Fujitsu Labs.) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 一樹(日立) / / 有間 英志(東大) / 小川 周吾(日立) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 廣瀬 哲也(阪大) / 新居 浩二(フローディア) / 久保木 猛(九大) / 海野 恭平(KDDI総合研究所) / 福嶋 慶繁(名工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuki Ikeda(Hitachi) / / Eiji Arima(Univ. of Tokyo) / Shugo Ogawa(Hitachi) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Koji Nii(Floadia) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Kyohei Unno(KDDI Research) / Norishige Fukushima(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Neural Network-based Lifetime Prediction and Reliability Enhancement Techniques for 3D NAND Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元NAND型フラッシュメモリ / NAND Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | ニューラルネットワーク / Neural Network |
| キーワード(3)（和/英） | 誤り訂正符号 / Error-correcting Code |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阿部 真輝 / Masaki Abe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-11-14 |
| 資料番号 | ICD2019-30,IE2019-36 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ICD-284,IE-285 |
| ページ範囲 | pp.7-12(ICD), pp.7-12(IE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-07 (ICD, IE) |