| 講演名 | 2019-10-24 新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性 今泉 文伸(小山高専), 仲田 陸人(小山高専), |
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| 抄録(和) | 鉛が含まれていない圧電材料であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組み合わせて成膜した。酸素ラジカル処理は、スパッタリングでBFO膜を成膜後に、マイクロ波励起高密度プラズマを用いて処理を行った。このプロセスによりBFO膜の結晶化温度を350℃以下に下げることに成功した。また、分極特性から、500度のアニール処理で強い強誘電性を示していることがわかる。リーク電流の測定も行いアニール温度の上昇によりリーク電流が減少していることが分かった。これらの結果から、酸素ラジカル処理がBFOの初期核生成や酸素欠損に起因する欠陥の減少に、非常に有効であることがわかった。また、BFOと格子定数のミスマッチングが少ない基板であるDyScO3基板上（a=0.394nm）に、スパッタリングによりBFO薄膜を形成し、配向性を確認した。 |
| 抄録(英) | Oxygen radical treatment was applied to sputter-deposited BiFeO3 (BFO) thin film which is expected to be used for ferroelectric memories, sensors and solar cells. The oxygen radicals were produced by a microwave excited high-density plasma. It was found from X-ray diffraction that the crystallization temperature of the BFO film could be reduced to 350 oC by applying the oxygen radical treatment before the annealing. The (110) peak area which shows the crystallinity of BFO was by 4 times than that of the BFO film annealed at 500 oC without the oxygen radical treatment. From results of XRD and X-ray photoelectron spectroscopy, the stoichiometry was dramatically improved and this suggests that the oxygen radical treatment effectively creates the nucleation cites of BiFeO3 and reduces oxygen vacancy defects. It is important that the BiFeO3 film on DyScO3 Substrate. The lattice constant of DyScO3 (a=0.394nm) is similar to the lattice constant of BiFeO3. We developed the BiFeO3 film on the DyScO3 substrate. |
| キーワード(和) | 圧電材料 / BiFeO3 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2019-63 |
| 発行日 | 2019-10-16 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2019/10/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The process technology of new piezoelectric materials BiFeO3 and dependence of substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 圧電材料 |
| キーワード(2)（和/英） | BiFeO3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校(略称：小山高専) National Institute of Technology, Oyama College(略称：NIT, Oyama College) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 仲田 陸人 / Rikuto Nakada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校(略称：小山高専) National Institute of Technology, Oyama College(略称：NIT, Oyama College) |
| 発表年月日 | 2019-10-24 |
| 資料番号 | SDM2019-63 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-239 |
| ページ範囲 | pp.51-54(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-10-16 (SDM) |