| 講演名 | 2019-11-15 SOIウェハの直接接合を用いた３層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 後藤 正英(NHK), 本田 悠葵(NHKエンジニアリングシステム), 渡部 俊久(NHK), 萩原 啓(NHK), 難波 正和(NHK), 井口 義則(NHK), 更屋 拓哉(東大), 小林 正治(東大), 日暮 栄治(産総研), 年吉 洋(東大), 平本 俊郎(東大), |
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| 抄録(和) | 超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して，画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの研究を進めている．これまでに，SOIウェハの直接接合技術により，画素内で入射光量に対応したパルスを発生してA/D変換を行う2層構造イメージセンサの開発を行い，その撮像動作を実証した．今回，本センサのさらなる高集積化や多機能化を可能とする多層構造の実現に向けて，3層のSOIウェハから構成されるリングオシレータおよびイメージセンサを設計し，直径5 μmのAu電極を埋め込んだ直接接合技術により試作を行った．その結果，3層のウェハが剥離なく接合していることを確認するとともに，101段リングオシレータの動作を実証することができ，将来の多層構造デバイスの実現に見通しを得た． |
| 抄録(英) | We have studied on pixel-parallel three-dimensional (3D) integrated CMOS image sensors. We previously reported double-layered image sensors by direct bonding of silicon on insulator (SOI) layers with embedded Au electrodes, which confirmed pixel-parallel video images. We have newly designed the triple-layered ring oscillator and image sensor to demonstrate the concept of the multi-layered devices which improve the resolution and enhance the functionality. The developed triple-stacked wafers are confirmed to have no voids or separation of layers even after the removal of the handle layer, thereby demonstrating the feasibility of multi-layered imaging devices for the next-generation video systems. |
| キーワード(和) | CMOSイメージセンサ / 3次元集積化技術 / リングオシレータ / 接合 / SOI / A/D変換回路 |
| キーワード(英) | CMOS image sensor / 3D integration / ring oscillator / bonding / SOI / A/D converter |
| 資料番号 | ICD2019-38,IE2019-44 |
| 発行日 | 2019-11-07 (ICD, IE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / ICD / IE / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2019/11/13(から3日開催) |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 戸川 望(早大) / 福本 聡(首都大東京) / 入江 英嗣(東大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 木全 英明(NTT) / 田宮 豊(富士通研) / / 井上 弘士(九大) |
| 委員長氏名（英） | Nozomu Togawa(Waseda Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Hideaki Kimata(NTT) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Lab.) / / Hiroshi Inoue(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 鯉渕 道紘(NII) / 中島 耕太(富士通研) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(東芝メモリ) / 児玉 和也(NII) / 高橋 桂太(名大) |
| 副委員長氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Kota Nakajima(Fujitsu Lab.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / Kazuya Kodama(NII) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小平 行秀(会津大) / 桜井 祐市(日立) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 津邑 公暁(名工大) / 高前田 伸也(北大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 早瀬 和也(NTT) / 松尾 康孝(NHK) / 土谷 亮(滋賀県大) / 岩崎 裕江(NTT) / 佐々木 通(三菱電機) / / 近藤 正章(東大) / 塩谷 亮太(名大) / 田中 美帆(富士通研) / 長谷川 揚平(東芝メモリ) |
| 幹事氏名（英） | Yukihide Kohira(Univ. of Aizu) / Yuichi Sakurai(Hitachi) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Kazuya Hayase(NTT) / Yasutaka Matsuo(NHK) / Akira Tsuchiya(Univ. Shiga Prefecture) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Toru Sasaki(Mitsubishi Electric) / / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Ryota Shioya(Nagoya Univ.) / Miho Tanaka(Fujitsu Labs.) / Yohei Hasegawa(Toshiba Memory) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 一樹(日立) / / 有間 英志(東大) / 小川 周吾(日立) / 小林 悠記(NEC) / 中原 啓貴(東工大) / 廣瀬 哲也(阪大) / 新居 浩二(フローディア) / 久保木 猛(九大) / 海野 恭平(KDDI総合研究所) / 福嶋 慶繁(名工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuki Ikeda(Hitachi) / / Eiji Arima(Univ. of Tokyo) / Shugo Ogawa(Hitachi) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Koji Nii(Floadia) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) / Kyohei Unno(KDDI Research) / Norishige Fukushima(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOIウェハの直接接合を用いた３層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Triple-Layered Ring Oscillators and Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Wafers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元集積化技術 / 3D integration |
| キーワード(3)（和/英） | リングオシレータ / ring oscillator |
| キーワード(4)（和/英） | 接合 / bonding |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | A/D変換回路 / A/D converter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 正英 / Masahide Goto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所(略称：NHK) NHK STRL(略称：NHK) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 悠葵 / Yuki Honda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NHKエンジニアリングシステム(略称：NHKエンジニアリングシステム) NHK Engineering System(略称：NHK-ES) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡部 俊久 / Toshihisa Watabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所(略称：NHK) NHK STRL(略称：NHK) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 萩原 啓 / Kei Hagiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所(略称：NHK) NHK STRL(略称：NHK) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 難波 正和 / Masakazu Nanba |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所(略称：NHK) NHK STRL(略称：NHK) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井口 義則 / Yoshinori Iguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NHK放送技術研究所(略称：NHK) NHK STRL(略称：NHK) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 日暮 栄治 / Eiji Higurashi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 年吉 洋 / Hiroshi Toshiyoshi |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 発表年月日 | 2019-11-15 |
| 資料番号 | ICD2019-38,IE2019-44 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ICD-284,IE-285 |
| ページ範囲 | pp.45-49(ICD), pp.45-49(IE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-11-07 (ICD, IE) |