講演名 2019-10-23
[招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE)
熊倉 翔(東京エレクトロン宮城), 木原 嘉英(東京エレクトロン宮城), 本田 昌伸(東京エレクトロン宮城),
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抄録(和) Atomic layer etching (ALE)は、エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し、それぞれの過程を繰り返すことで、原子層オーダーの加工を可能にする技術である. ALEプロセスでは、サイクル中にエッチング反応が自動的に原子層オーダーで停止する自己律速型反応 (Self-limited reaction)が重要な役割を担う.本反応を利用することで、表面のエッチング反応を原子層オーダーで制御することができ、5/7 nmノード以降の半導体デバイス製造に求められる超微細加工を可能にする. 本稿では、ALEの基本原理、その期待される効果を説明するとともに、被エッチング材ごとに開発された2つのALE技術について紹介する.
抄録(英)
キーワード(和) Atomic layer etching / ALE / 異方性エッチング / Self-limited reaction
キーワード(英)
資料番号 SDM2019-53
発行日 2019-10-16 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2019/10/23(から2日開催)
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F
開催地(英) Niche, Tohoku Univ.
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術
テーマ(英) Process Science and New Process Technology
委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大)
委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ)
副委員長氏名(英) Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic)
幹事氏名(和) 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー)
幹事氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY)
幹事補佐氏名(和) 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大)
幹事補佐氏名(英) Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE)
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Atomic layer etching process utilizing plasma
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Atomic layer etching
キーワード(2)(和/英) ALE
キーワード(3)(和/英) 異方性エッチング
キーワード(4)(和/英) Self-limited reaction
第 1 著者 氏名(和/英) 熊倉 翔 / Sho Kumakura
第 1 著者 所属(和/英) 東京エレクトロン宮城株式会社(略称:東京エレクトロン宮城)
Tokyo Electron Miyagi Ltd.(略称:Tokyo Electron Miyagi)
第 2 著者 氏名(和/英) 木原 嘉英 / Yoshihide Kihara
第 2 著者 所属(和/英) 東京エレクトロン宮城株式会社(略称:東京エレクトロン宮城)
Tokyo Electron Miyagi Ltd.(略称:Tokyo Electron Miyagi)
第 3 著者 氏名(和/英) 本田 昌伸 / Masanobu Honda
第 3 著者 所属(和/英) 東京エレクトロン宮城株式会社(略称:東京エレクトロン宮城)
Tokyo Electron Miyagi Ltd.(略称:Tokyo Electron Miyagi)
発表年月日 2019-10-23
資料番号 SDM2019-53
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) SDM-239
ページ範囲 pp.1-6(SDM),
ページ数 6
発行日 2019-10-16 (SDM)