講演名 2019-10-24
[Invited Talk] NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes
陳 凌寒(東北大), 小池 淳一(東北大), 安藤 大輔(東北大), 須藤 祐司(東北大),
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抄録(和)
抄録(英) Conventional Cu interconnect will suffer from a great line resistivity increase due to aggressive downscaling of the dimensions of future large-scale-integrated (LSI) devices. In this report, the possibility of NiAl as a Cu alternative for highly scaled interconnections is investigated, with interfacial reaction, diffusion-barrier property, time-dependent-dielectric-breakdown (TDDB) reliability and thickness/linewidth-dependent resistivity change being examined. The results demonstrate that NiAl is a promising interconnect material that can be used without liner or barrier layer for linewidths below 7?nm.
キーワード(和)
キーワード(英) InterconnectNiAlCu alternativeLiner- and Barrier-freeReliability
資料番号 SDM2019-59
発行日 2019-10-16 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2019/10/23(から2日開催)
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F
開催地(英) Niche, Tohoku Univ.
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術
テーマ(英) Process Science and New Process Technology
委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大)
委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ)
副委員長氏名(英) Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic)
幹事氏名(和) 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー)
幹事氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY)
幹事補佐氏名(和) 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大)
幹事補佐氏名(英) Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / InterconnectNiAlCu alternativeLiner- and Barrier-freeReliability
第 1 著者 氏名(和/英) 陳 凌寒 / Linghan Chen
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 小池 淳一 / Junichi Koike
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 安藤 大輔 / Daisuke Ando
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 須藤 祐司 / Yuji Sutou
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学(略称:東北大)
Tohoku University(略称:Tohoku Univ.)
発表年月日 2019-10-24
資料番号 SDM2019-59
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) SDM-239
ページ範囲 pp.29-33(SDM),
ページ数 5
発行日 2019-10-16 (SDM)