講演名 2019-10-17
1.3 ?m帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによるSiN導波路の特性分析
横村 優太(東工大), 御手洗 拓矢(東工大), 雨宮 智宏(東工大), 西山 伸彦(東工大),
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抄録(和) 温調制御の必要性と波長間隔の制限を受けてしまう従来のWDMシステムの問題点を克服するために、グリッドフリーな新しいWDMシステムが提案されている。新システムでは波長間隔の等しい多波長レーザが要求されるため、今回、 SiN導波路を用いた1.3 μm帯多波長レーザ作製に向け、成膜 条件変化によるSiNの屈折率分析と、導波路構造による波長分散 および伝搬モード の変化について検討した。屈折率分析では条件を変えることによって1.3 μm帯において0.05程の変化が得られた 。波長分散および伝搬モードの計算では、 成膜 条件による分散シフトを確認し、導波路断面積0.54 μm2においてゼロ波長分散近傍の値を確認した。
抄録(英) A new grid-free WDM system has been proposed in order to overcome the problems of conventional WDM systems that are subject to the necessity of temperature control and the limitation of wavelength spacing. Since the new system requires multi-wavelength lasers with the same wavelength spacing, this time, for the preparation of 1.3 μm band multi-wavelength lasers using SiN waveguides, the refractive index analysis of SiN by changing the film formation conditions and the changes of chromatic dispersion and propagation mode by changing waveguide structure were investigated. In the refractive index analysis, a change of about 0.05 was obtained in the 1.3 μm band by changing the conditions. In the calculation of chromatic dispersion and propagation mode, we confirmed the dispersion shift due to the film forming conditions, and confirmed the value near zero chromatic dispersion at the waveguide cross-sectional area of 0.54 μm2.
キーワード(和) 窒化ケイ素 / 導波路 / 波長分散 / 伝搬モード / PECVD
キーワード(英) Silicon nitride / Waveguide / Chromatic dispersion / Propagation mode / PECVD
資料番号 OCS2019-35,OPE2019-73,LQE2019-51
発行日 2019-10-10 (OCS, OPE, LQE)

研究会情報
研究会 OCS / LQE / OPE
開催期間 2019/10/17(から2日開催)
開催地(和) サンプラザ天文館(鹿児島)
開催地(英)
テーマ(和) 超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 前田 譲治(東京理科大) / 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大)
委員長氏名(英) Joji Maeda(Tokyo Univ. of Science) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.)
副委員長氏名(和) / 八坂 洋(東北大) / 中川 剛二(富士通研)
副委員長氏名(英) / Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.)
幹事氏名(和) 大原 拓也(NTT) / 高橋 正典(古河電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT)
幹事氏名(英) Takuya Ohara(NTT) / Masanori Takahashi(Furukawa Electric) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT)
幹事補佐氏名(和) / 中島 史人(NTT) / 三浦 健太(群馬大) / 若山 雄貴(日立)
幹事補佐氏名(英) / Fumito Nakajima(NTT) / Kenta Miura(Gunma Univ.) / Yuki Wakayama(Hitachi)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Optical Communication Systems / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) 1.3 ?m帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによるSiN導波路の特性分析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Characteristic analysis of SiN waveguides with different structures and fabrication methods for 1.3 μm multi-wavelength lasers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 窒化ケイ素 / Silicon nitride
キーワード(2)(和/英) 導波路 / Waveguide
キーワード(3)(和/英) 波長分散 / Chromatic dispersion
キーワード(4)(和/英) 伝搬モード / Propagation mode
キーワード(5)(和/英) PECVD / PECVD
第 1 著者 氏名(和/英) 横村 優太 / Yuta Yokomura
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute Technology(略称:Tokyotech)
第 2 著者 氏名(和/英) 御手洗 拓矢 / Takuya Mitarai
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute Technology(略称:Tokyotech)
第 3 著者 氏名(和/英) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute Technology(略称:Tokyotech)
第 4 著者 氏名(和/英) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute Technology(略称:Tokyotech)
発表年月日 2019-10-17
資料番号 OCS2019-35,OPE2019-73,LQE2019-51
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) OCS-229,OPE-230,LQE-231
ページ範囲 pp.45-48(OCS), pp.45-48(OPE), pp.45-48(LQE),
ページ数 4
発行日 2019-10-10 (OCS, OPE, LQE)