| 講演名 | 2019-08-26 オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 中澤 日出樹(弘前大), 奈良 友奎(弘前大), 葛西 大希(弘前大), |
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| 抄録(和) | これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェンを形成する方法について報告してきた。グラフェンの更なる高品質化のために、オフ角を有するSi(110)基板を採用しているが、その上へのAlN中間層やSiCバッファ層などの形成条件の最適化が課題として残されている。本研究では、オフ角Si(110)基板上AlN層の結晶性および平坦性の基板温度依存性について調べた。また、モノメチルシラン圧力を変化させて形成したSiCバッファ層が、その上に成長したSiC薄膜の結晶性および平坦性に及ぼす影響について調べた。 |
| 抄録(英) | We have grown AlN films on off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition (PLD) and then formed SiC buffer layers by ultra-low pressure chemical vapor deposition to investigate the effects of the formation conditions of these layers on the crystallinity and surface morphology of the SiC films grown thereon. We found that the AlN film grown at 800?C showed the best quality between the grown AlN films. We next formed the SiC buffer layers at different monomethylsilane pressures on this AlN film to grow the SiC films. It was found that the SiC film grown on the SiC buffer layer formed at 2.0×10－2 Pa exhibited the best quality between the grown SiC films. |
| キーワード(和) | 炭化ケイ素 / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / ヘテロエピタキシー |
| キーワード(英) | silicon carbide / aluminum nitride / pulsed laser deposition / heteroepitaxy |
| 資料番号 | CPM2019-42 |
| 発行日 | 2019-08-19 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2019/8/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 委員長氏名（和） | 武山 真弓(北見工大) |
| 委員長氏名（英） | Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 副委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) |
| 幹事氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of an AlN intermediate layer on an off-axis Si(110) substrate and SiC heteroepitaxial growth thereon |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化ケイ素 / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化アルミニウム / aluminum nitride |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアブレーション / pulsed laser deposition |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロエピタキシー / heteroepitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奈良 友奎 / Yuki Nara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛西 大希 / Hiroki Kasai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2019-08-26 |
| 資料番号 | CPM2019-42 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | CPM-181 |
| ページ範囲 | pp.23-28(CPM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-08-19 (CPM) |