| 講演名 | 2019-08-09 極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ 山田 拓弥(金沢工大), 井田 次郎(金沢工大), 森 貴之(金沢工大), 安丸 暢彦(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), 石橋 考一郎(電通大), |
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| 抄録(和) | 本報告では，我々の研究室で提案した急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied (PNBT) SOI-FETをDiode接続したPNBT Diodeを整流素子として用いたレクテナの整流効率に関するシミュレーションを行った．シミュレーションより，閾値調整を行い，super steepの発生電圧を0 V付近に近づけることで整流効率が大きく改善されることが確認できた．また，ゲート幅を大きくすることでsuper steep発生電圧が少し高くても整流素子として適用可能であることが確認できた． |
| 抄録(英) | In this report，we have simulated the rectification efficiency of the rectenna using PNBT Diode that is a diode-connected PN-body Tied SOI-FET with super steep subthreshold characteristics proposed in our laboratory．From the simulation， it was confirmed that the rectification efficiency is greatly improved by moving the threshold voltage of the super steep close to 0 V by adjusting the threshold. In addition，it was confirmed that the device can be applied as a rectifier even if the super steep voltage is slightly high by increasing the gate width |
| キーワード(和) | RFエネルギーハーベスティング / SOI-FET |
| キーワード(英) | RF Energy Harvesting / SOI-FET |
| 資料番号 | SDM2019-52,ICD2019-17 |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2019/8/7(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報科学院 3F A31 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 秋田 純一(金沢大)) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / 秋田 純一(金沢大)) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 高橋 真史(東芝メモリ) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Masafumi Takahashi(Toshiba-memory) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 廣瀬 哲也(阪大) / 新居 浩二(フローディア) / 久保木 猛(九大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Koji Nii(Floadia) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra Low power rectenna with super SS "PN-Body Tied SOI-FET" |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFエネルギーハーベスティング / RF Energy Harvesting |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-FET / SOI-FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 拓弥 / Takuya Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 貴之 / Takayuki Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安丸 暢彦 / Nobuhiko Yasumaru |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石橋 考一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2019-08-09 |
| 資料番号 | SDM2019-52,ICD2019-17 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-161,ICD-162 |
| ページ範囲 | pp.95-98(SDM), pp.95-98(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) |