| 講演名 | 2019-08-22 ［招待講演］3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 三谷 祐一郎(東芝メモリ), 関 春海(東芝メモリ), 浅野 孝典(東芝メモリ), 中崎 靖(東芝メモリ), |
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| 抄録(和) | 膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化された3Dフラッシュメモリが主流となっている。この3Dフラッシュメモリは従来の平面型(2D)フラッシュメモリとは異なる構造やプロセスが採用されているため、微細化・大容量化の進行に伴って信頼性の視点でも新たな課題が見えてきている。本発表では、3Dフラッシュメモリのメモリセルの信頼性にフォーカスし、従来の2Dフラッシュメモリとの比較を通して議論をすることを目的とする。 |
| 抄録(英) | As conventional planar NAND flash memories are limited from physical and electrical scaling point of view, the three-dimensional flash memories, in which memory cells are stacked vertically, has rapidly achieved maturity to keep a trend of increasing bit density and reducing bit cost. To realize more capacity, total number of layers are increasing (>64 layers) and multi-level cell (MLC) operations are indispensable (>3bit/cell). Extending this capacity trend requires highly-reliable memory cell. This paper focus on the typical charge-trap type memory cells, and the reliability issues will be discussed |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / 信頼性 / 絶縁膜 / 欠陥 / トラップ |
| キーワード(英) | Flash memory / Reliability / Insulators / Defect / Trap |
| 資料番号 | R2019-26,EMD2019-24,CPM2019-25,OPE2019-53,LQE2019-31 |
| 発行日 | 2019-08-15 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE / CPM / EMD / R |
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| 開催期間 | 2019/8/22(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 有賀 博(三菱電機) / 高橋 浩(上智大) / 武山 真弓(北見工大) / 和田 真一(TMCシステム) / 安里 彰(富士通) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Hiroshi Takahashi(Sophia Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Shinichi Wada(TMC System) / Akira Asato(Fujitsu) |
| 副委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 中川 剛二(富士通研) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 萓野 良樹(電通大) / 土肥 正(広島大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Tadashi Dohi(Hiroshima Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 永井 正也(阪大) / 庄司 雄哉(東京工業大学) / 妹尾 和則(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) / 水上 雅人(室蘭工大) / 田村 信幸(法政大) / 井上 真二(関西大) |
| 幹事氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yuya Shoji(Tokyo Inst. of Tech.) / Kazunori Seno(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Ｋｅｎｊｉ Ｓｕｚｕｋｉ(Fuji Electric) / Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 中島 史人(NTT) / 三浦 健太(群馬大) / 若山 雄貴(日立) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 林 優一(奈良先端大) / 岡村 寛之(広島大) / 横川 慎二(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Fumito Nakajima(NTT) / Kenta Miura(Gunma Univ.) / Yuki Wakayama(Hitachi) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Hayashi(ＮＡＩＳＴ) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shinji Yokogawa(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Reliability |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] 3D Flash Memory Cell Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁膜 / Insulators |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / Defect |
| キーワード(5)（和/英） | トラップ / Trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：Toshiba Memory) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 関 春海 / Harumi Seki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：Toshiba Memory) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 孝典 / Takanori Asano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：Toshiba Memory) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation(略称：Toshiba Memory) |
| 発表年月日 | 2019-08-22 |
| 資料番号 | R2019-26,EMD2019-24,CPM2019-25,OPE2019-53,LQE2019-31 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | R-169,EMD-170,CPM-171,OPE-172,LQE-173 |
| ページ範囲 | pp.35-38(R), pp.35-38(EMD), pp.35-38(CPM), pp.35-38(OPE), pp.35-38(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-08-15 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |