講演名 2019-08-09
ゲート間配線を考慮した断熱型量子磁束パラメトロン回路のビット誤り率の評価
伊東 大樹(横浜国大), 竹内 尚輝(横浜国大), 山梨 裕希(横浜国大), 吉川 信行(横浜国大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 SCE2019-21
発行日 2019-08-02 (SCE)

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2019/8/9(から1日開催)
開催地(和) 産業技術総合研究所
開催地(英) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
テーマ(和) デバイス関係、薄膜、一般
テーマ(英) Device, think film, etc.
委員長氏名(和) 神代 暁(産総研)
委員長氏名(英) Satoshi Kohjiro(AIST)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 竹内 尚輝(横浜国大) / 三木 茂人(NICT)
幹事氏名(英) Naoki Takeuchi(Yokohama National Univ.) / Shigehito Miki(NICT)
幹事補佐氏名(和) 赤池 宏之(大同大)
幹事補佐氏名(英) Hiroyuki Akaike(Daido Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Superconductive Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) ゲート間配線を考慮した断熱型量子磁束パラメトロン回路のビット誤り率の評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluating bit error rate of adiabatic quantum flux parametron circuit considering gate-to-gate interconnection
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 伊東 大樹 / Ito Daiki
第 1 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:YNU)
第 2 著者 氏名(和/英) 竹内 尚輝 / Takeuchi Naoki
第 2 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:YNU)
第 3 著者 氏名(和/英) 山梨 裕希 / Yamanashi Yuki
第 3 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:YNU)
第 4 著者 氏名(和/英) 吉川 信行 / Yoshikawa Nobuyuki
第 4 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:YNU)
発表年月日 2019-08-09
資料番号 SCE2019-21
巻番号(vol) vol.119
号番号(no) SCE-164
ページ範囲 pp.71-74(SCE),
ページ数 4
発行日 2019-08-02 (SCE)