| 講演名 | 2019-06-14 クラスター欠陥とストレス分布に基づく先端デバイスの信頼度モデリング 横川 慎二(電通大), 國井 喬介(電通大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | R2019-11 |
| 発行日 | 2019-06-07 (R) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2019/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 信頼性一般 |
| テーマ（英） | Overall reliability engineering |
| 委員長氏名（和） | 安里 彰(富士通) |
| 委員長氏名（英） | Akira Asato(Fujitsu) |
| 副委員長氏名（和） | 土肥 正(広島大) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Dohi(Hiroshima Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田村 信幸(法政大) / 井上 真二(関西大) |
| 幹事氏名（英） | Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岡村 寛之(広島大) / 横川 慎二(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shinji Yokogawa(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Reliability |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | クラスター欠陥とストレス分布に基づく先端デバイスの信頼度モデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reliability modeling of advanced electron devices based on clustered defects and stress distribution |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横川 慎二 / Shinji Yokogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 國井 喬介 / Kyosuke Kunii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2019-06-14 |
| 資料番号 | R2019-11 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | R-82 |
| ページ範囲 | pp.13-18(R), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-06-07 (R) |