| 講演名 | 2019-06-21 ［依頼講演］X線によるナノデバイスおよび格子欠陥の三次元観測 表 和彦(リガク), 伊藤 義泰(リガク), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2019-31 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2019/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］X線によるナノデバイスおよび格子欠陥の三次元観測 |
| サブタイトル（和） | シリコン材料・デバイス研究会 |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Three-Dimensional Structural Observation for Nanoscale Devices and Crystal defects |
| サブタイトル（和） | * |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 表 和彦 / Kazuhiko Omote |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社リガク(略称：リガク) Rigaku Corporation(略称：Rigaku) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 義泰 / Yoshiyasu Ito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社リガク(略称：リガク) Rigaku Corporation(略称：Rigaku) |
| 発表年月日 | 2019-06-21 |
| 資料番号 | SDM2019-31 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | SDM-96 |
| ページ範囲 | pp.29-33(SDM), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |