| 講演名 | 2019-05-16 貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価 野口 恭甫(豊橋技科大), 西村 道治(東大), 松井 純爾(兵庫県立大), 津坂 佳幸(兵庫県立大), 石川 靖彦(豊橋技科大), |
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| 抄録(和) | Si-on-insulator (SOI)上にエピタキシャル成長したGe層は, 光通信波長のC帯(1.530 ~ 1.565 ?m)や短波長側のO帯(1.260 ~ 1.360 ?m)で動作する受光器材料として利用されているが, 長波長側のL帯(1.565 ~ 1.625 ?m)で受光効率が低下する問題がある. 本研究では, 貼り合わせSi-on-quartz (SOQ)ウエハ上に成長したGe層において, 面内引っ張りひずみによって直接遷移バンドギャップが縮小し, L帯での光吸収係数が増大することを報告する. L帯で高効率動作する受光器への応用が期待できる. |
| 抄録(英) | Ge epitaxial layers on Si-on-insulator (SOI) wafer have been widely used for photodetectors operating in the C band (1.530 ~ 1.565 ?m) as well as in the shorter-wavelength range of O band (1.260 ~ 1.360 ?m), while an issue lies in a poor photodetection in the L band (1.565 ~ 1.625 ?m). In this study, Ge layers grown on banded Si-on-quartz (SOQ) wafer show an increase in the optical absorption coefficient in the L band due to the reduction in the direct bandgap energy induced by an in-plane tensile strain. This property should be effective for high-efficiency photodetectors in the L band. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / 光吸収 / 格子ひずみ / Lバンド / SOQウエハ |
| キーワード(英) | Si photonics / Ge / optical absorption / lattice strain / L band / Si-on-quartz wafer |
| 資料番号 | ED2019-14,CPM2019-5,SDM2019-12 |
| 発行日 | 2019-05-09 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2019/5/16(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Materials, Fabrication, and Characterization of Functional Devices, and Related Technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) / 須原 理彦(首都大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) / Michihiko Suhara(TMU) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterizations of lattice strain and optical properties for Ge layers epitaxially grown on bonded Si-on-Quartz substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(3)（和/英） | 光吸収 / optical absorption |
| キーワード(4)（和/英） | 格子ひずみ / lattice strain |
| キーワード(5)（和/英） | Lバンド / L band |
| キーワード(6)（和/英） | SOQウエハ / Si-on-quartz wafer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 恭甫 / Kyosuke Noguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西村 道治 / Michiharu Nishimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松井 純爾 / Junji Matui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 津坂 佳幸 / Yoshiyuki Tsusaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. Hyogo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 発表年月日 | 2019-05-16 |
| 資料番号 | ED2019-14,CPM2019-5,SDM2019-12 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | ED-34,CPM-35,SDM-36 |
| ページ範囲 | pp.21-24(ED), pp.21-24(CPM), pp.21-24(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-05-09 (ED, CPM, SDM) |