| 講演名 | 2019-03-09 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析 田中 聡(村田製作所), |
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| 抄録(和) | 5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100 ~ 400MHzと広帯域化されるとともに，DC (Dual Connectivity)， MIMO (Multiple-Input and Multiple-Output) のようにハードウェアの規模が増大し，且つ動作が複雑になる構成も適用される．このため4G(第4世代)携帯電話で適用されてきた，ET(Envelope Tracking)やDPD (Digital Pre-Distortion)のみに全面的に頼るのではなく，電力増幅器自身の線形性改善が重要な課題となると予想される．本報告では線形増幅器の非線形性の指標であるAM(Amplitude Modulation)-AM/PM (Phase Modulation)特性に着目し，HBT(へテロ接合バイポーラトランジスタ)を適用した単段増幅器のAM-AM/PM特性の出力電力依存性のメカニズムについて論ずる． |
| 抄録(英) | In 5G (5th Generation) mobile phone, maximum modulation bandwidth is enlarged from100 to 400 MHz. In addition, complicated systems such as DC (Dual Connectivity) and MIMO (Multiple-Input and Multiple-Output) will be applied. With this wide bandwidth and complicated parallel operating systems, the ET (Envelope Tracking) systems and the DPD (Digital Pre-Distortion) systems may not be always the optimum solutions. The PA (Power Amplifier) for a 5G mobile phone should achieve good linearity with standalone operation. In this paper, AM (Amplitude Modulation)-AM/PM (Phase Modulation) characteristics of a single-stage PA of HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) is analyzed. |
| キーワード(和) | 携帯電話 / 電力増幅器 / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / 非線形 / LTE / 5G |
| キーワード(英) | Mobile phone / Power amplifier / Heterojunction bipolar transistor / Non-linear / LTE / 5G |
| 資料番号 | CAS2018-154,CS2018-122 |
| 発行日 | 2019-03-01 (CAS, CS) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CAS / CS |
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| 開催期間 | 2019/3/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 湘南工科大学 |
| 開催地（英） | Shonan Institute of Technology |
| テーマ（和） | ネットワークプロセッサ，通信のための信号処理回路，無線LAN/PAN，一般 |
| テーマ（英） | Network processor, Signal processing and circuits for communications, Wireless LAN / PAN, etc. |
| 委員長氏名（和） | 岡崎 秀晃(湘南工科大) / 中里 秀則(早大) |
| 委員長氏名（英） | Hideaki Okazaki(Shonan Inst. of Tech.) / Hidenori Nakazato(Waseda Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山脇 大造(日立) / 寺田 純(NTT) |
| 副委員長氏名（英） | Taizo Yamawaki(Hitachi) / Jun Terada(NTT) |
| 幹事氏名（和） | 橘 俊宏(湘南工科大) / 中村 洋平(日立) / 藤原 正満(NTT) / 金井 謙治(早稲田大) |
| 幹事氏名（英） | Toshihiro Tachibana(Shonan Inst. of Tech.) / Yohei Nakamura(Hitachi) / Masamichi Fujiwara(NTT) / Kenji Kanai(Waseda Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 基(ルネサスエレクトロニクス) / 原 一貴(NTT) / 豊田 健太郎(慶大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Motoi Yamaguchi(Renesas Electronics) / Kazutaka Hara(NTT) / Kentaro Toyoda(Keio Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Circuits and Systems / Technical Committee on Communication Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Non-linearity on Heterojunction Bipolar Transistor Power Amplifiers for Mobile Phone |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 携帯電話 / Mobile phone |
| キーワード(2)（和/英） | 電力増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / Heterojunction bipolar transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 非線形 / Non-linear |
| キーワード(5)（和/英） | LTE / LTE |
| キーワード(6)（和/英） | 5G / 5G |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 聡 / Satoshi Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社 村田製作所(略称：村田製作所) Murata Manufacturing Co., Ltd.(略称：Murata) |
| 発表年月日 | 2019-03-09 |
| 資料番号 | CAS2018-154,CS2018-122 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CAS-488,CS-489 |
| ページ範囲 | pp.87-92(CAS), pp.87-92(CS), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-03-01 (CAS, CS) |