| 講演名 | 2019-03-14 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器 久米 鳳春(電通大), 石川 亮(電通大), 本城 和彦(電通大), |
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| 抄録(和) | 双方向の無線電力伝送に利用可能である，増幅・整流動作を同一モジュールで行う10MHz帯高効率トランジスタ増幅・整流器の設計・試作・評価を行った．トランジスタ増幅器およびトランジスタ整流器の動作類似性からドレイン側は増幅・整流動作共通の回路となっており，ゲート側は各動作時における最適インピーダンス条件が近似していることから，同一回路での両動作が可能となった．また，しきい値0Vトランジスタを用いることで増幅・整流動作における零ゲートバイアス駆動を実現した．試作の結果，増幅動作で最大ドレイン効率68%，最大付加電力効率66%，整流動作で最大RF-DC変換効率60%と良好な結果を得た． |
| 抄録(英) | A high-efficiency amplification/rectification module has been developed at 10-MHz band for bidirectional wireless power transfer systems, based on an operation similarity between transistor amplifier and rectifier. It operates as an amplifier for converting a power from DC to RF, and also operates as a rectifier for converting one from RF to DC. The same drain-side circuit can be used for both operations based on the operation similarity. On the other hand, the gate-side circuit was adjusted so that higher efficiency operations were obtained for both operations. In addition, by using a zero-threshold transistor, this module has no gate-biasing circuit. At 10 MHz, the fabricated module exhibited a maximum drain efficiency of 68% and a maximum power-added efficiency of 66% in the amplification operation, and a maximum RF-to-DC conversion efficiency of 60% in the rectification operation. |
| キーワード(和) | 無線電力伝送 / 増幅器 / 整流器 / Si MOSFET |
| キーワード(英) | Wireless power transfer systems / Amplifier / Rectifier / Si MOSFET |
| 資料番号 | MW2018-165,ICD2018-109 |
| 発行日 | 2019-03-07 (MW, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ICD |
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| 開催期間 | 2019/3/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館（石垣島） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | マイクロ波集積回路/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Integrated Circuit/Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUS) / Hideto Hidaka(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 永田 真(神戸大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTT DOCOMO) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 中村 宝弘(日立) / 清水 隆志(宇都宮大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 本良 瑞樹(東北大) / 吉田 賢史(鹿児島大) / 伊藤 浩之(東工大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(神戸大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Kobe Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 10-MHz-Band Gate Zero-Bias Amplification/Rectification Module using Zero-Threshold Si MOS Transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 無線電力伝送 / Wireless power transfer systems |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 整流器 / Rectifier |
| キーワード(4)（和/英） | Si MOSFET / Si MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久米 鳳春 / Takaharu Kume |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 亮 / Ishikawa Ryo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2019-03-14 |
| 資料番号 | MW2018-165,ICD2018-109 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | MW-506,ICD-507 |
| ページ範囲 | pp.49-54(MW), pp.49-54(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-03-07 (MW, ICD) |