| 講演名 | 2019-03-17 超微弱電流センシングのためのMOSFET超高抵抗構成手法の提案 張 興淮(北九州市大), 中武 繁寿(北九州市大), |
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| 抄録(和) | 本研究は、数pA~nAまでの超微弱電流を検出するために、I-V変換回路に利用される1GΩ以上の超高抵抗をオンチップで構成する手法を提案する。具体的には、遮断領域のMOSFETを直並列で接続することで、所望の抵抗値を実現する。直並列接続の段数に違いによるI-V変換特性、温度特性、面積の影響をシミュレーションにより確認し、適切な構成手法を導出する。また、既存Poly抵抗との比較も行い、提案MOSFET抵抗の実用性についても議論する。 |
| 抄録(英) | In this work, we propose a method to configure an ultrahigh resistance of 1GΩ or more on a chip, which is used for I-V conversion circuit, in order to detect ultra-weak currents of several pA ~nA. In our method, a desired resistance value is realized by connecting MOSFETs in the cutoff region in series-parallel. The influence of I-V conversion characteristic, temperature characteristic, area due to the difference in the number of stages of series-parallel connection is confirmed by simulation. Hence, an appropriate configuration method is derived. We also compare with the existing Poly resistance and discuss the practicality of proposed MOSFET resistance. |
| キーワード(和) | オンチップ抵抗 / 超高抵抗 / I-V変換回路 / 超微弱電流センシング |
| キーワード(英) | On-chip resistance / Ultrahigh resistance / I-V converter / Ultra weak current sensing |
| 資料番号 | CPSY2018-103,DC2018-85 |
| 発行日 | 2019-03-10 (CPSY, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPSY / DC / IPSJ-SLDM / IPSJ-EMB / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2019/3/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 西之表市民会館（種子島） |
| 開催地（英） | Nishinoomote City Hall (Tanega-shima) |
| テーマ（和） | 組込み技術とネットワークに関するワークショップ ETNET2019 |
| テーマ（英） | ETNET2019 |
| 委員長氏名（和） | 中野 浩嗣(広島大) / 福本 聡(首都大東京) / 田宮 豊(富士通研) / / 五島 正裕(NII) |
| 委員長氏名（英） | Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Yutaka Tamiya(Fujitsu Lab.) / / Masahiro Goshima(NII) |
| 副委員長氏名（和） | 入江 英嗣(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) |
| 副委員長氏名（英） | Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) / 金子 晴彦(東工大) / 新井 雅之(日大) / 柴田 誠也(NEC) / 密山 幸男(高知工科大) / 細谷 英一(NTT) / / 小野 貴継(九大) / 近藤 正章(東大) / 長谷川 揚平(東芝) / 塩谷 亮太(名大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Seiya Shibata(NEC) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / Eiichi Hosoya(NTT) / / Takatsugu Ono(Kyushu Univ.) / Masaaki Kondo(Univ. of Tokyo) / Yohei Hasegawa(Toshiba) / Ryota Shioya(Nagoya Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 伊藤 靖朗(広島大) / 津邑 公暁(名工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuaki Ito(Hiroshima Univ.) / Tomoaki Tsumura(Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Dependable Computing / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on Embedded Systems / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超微弱電流センシングのためのMOSFET超高抵抗構成手法の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOSFET-based ultra high resistance configuration for ultra low current sensing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オンチップ抵抗 / On-chip resistance |
| キーワード(2)（和/英） | 超高抵抗 / Ultrahigh resistance |
| キーワード(3)（和/英） | I-V変換回路 / I-V converter |
| キーワード(4)（和/英） | 超微弱電流センシング / Ultra weak current sensing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 張 興淮 / Xinghuai Zhang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学(略称：北九州市大) The University of Kitakyushu(略称：Univ. of Kitakyushu) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中武 繁寿 / Shigetoshi Nakatake |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学(略称：北九州市大) The University of Kitakyushu(略称：Univ. of Kitakyushu) |
| 発表年月日 | 2019-03-17 |
| 資料番号 | CPSY2018-103,DC2018-85 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | CPSY-514,DC-515 |
| ページ範囲 | pp.103-108(CPSY), pp.103-108(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-03-10 (CPSY, DC) |