講演名 2019-02-28
製造・実装ばらつきに起因する放射スペクトルの違いを用いた電子機器の個体識別手法に関する基礎検討
鍛治 秀伍(奈良先端大), 衣川 昌宏(仙台高専), 藤本 大介(奈良先端大), Laurent Sauvage(Telecom ParisTech), Jean-Luc Danger(Telecom ParisTech), 林 優一(奈良先端大),
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抄録(和) 電子機器内部のICやその他の素子などの偽造や複製による模造品の流通によって、電子機器の機能や性能が維持・保証できなくなり重大な事故を引き起こす可能性がある。そのため、半導体素子の製造過程で生じる複製が困難な物理的特徴を用いた機器の認証が注目されている。これらの認証では、主に、素子レベルの真正性を確保していた。本稿では、電子機器の製造・実装ばらつきに起因して生じる放射電磁波のスペクトルの差異に着目した認証によって、電子機器の基板レベルにおいても真正性を確保する手法について提案し、その基礎的な検討を行う。具体的には、マイコン内部の識別用信号を放射源とする放射電磁波とその高調波のピーク強度が電子機器の製造・実装ばらつきによって変化することを確認し、それらの差異を用いた個体識別手法の基礎評価を行う。
抄録(英) There is a possibility that electronic devices which contain counterfeited/cloned ICs or electronic components cause serious accidents. For this reason, the authentication methods using physical features that make difficult to clone during the manufacturing process of the semiconductor devices are studied. These authentication methods mainly focus the IC-level authenticity. In this paper, we propose a method to provide the board-level authenticity of electronic devices by authentication focusing on the difference of radiation spectrum caused by manufacturing/mounting variations of electronic devices. Specifically, we demonstrate that the fundamental and harmonic wave of the radiated electromagnetic wave generated by the identification signal inside the microcontroller change due to manufacturing/mounting variation of the electronic device. In addition, we evaluate the individual identification method using these differences.
キーワード(和) デバイス識別 / 電磁放射 / 製造ばらつき / 実装ばらつき
キーワード(英) Device identification / Electromagnetic emission / Manufacturing variation / Mounting variation
資料番号 VLD2018-120,HWS2018-83
発行日 2019-02-20 (VLD, HWS)

研究会情報
研究会 HWS / VLD
開催期間 2019/2/27(から4日開催)
開催地(和) 沖縄県青年会館
開催地(英) Okinawa Ken Seinen Kaikan
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般
テーマ(英) Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc.
委員長氏名(和) 松本 勉(横浜国大) / 峯岸 孝行(三菱電機)
委員長氏名(英) Tsutomu Matsumoto(Yokohama National Univ.) / Noriyuki Minegishi(Mitsubishi Electric)
副委員長氏名(和) 川村 信一(東芝) / 池田 誠(東大) / 戸川 望(早大)
副委員長氏名(英) Shinichi Kawamura(Toshiba) / Makoto Ikeda(Univ. of Tokyo) / Nozomu Togawa(Waseda Univ.)
幹事氏名(和) 三浦 典之(神戸大) / 国井 裕樹(セコム) / 新田 高庸(NTT) / 小平 行秀(会津大)
幹事氏名(英) Noriyuki Miura(Kobe Univ.) / Hiroki Kunii(SECOM) / Koyo Nitta(NTT) / Yukihide Kohira(Univ. of Aizu)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Hardware Security / Technical Committee on VLSI Design Technologies
本文の言語 JPN
タイトル(和) 製造・実装ばらつきに起因する放射スペクトルの違いを用いた電子機器の個体識別手法に関する基礎検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fundamental Study on Individual Identification Method of Electronic Device Using Difference of Radiation Spectrum Caused by Manufacturing/Mounting Variations
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) デバイス識別 / Device identification
キーワード(2)(和/英) 電磁放射 / Electromagnetic emission
キーワード(3)(和/英) 製造ばらつき / Manufacturing variation
キーワード(4)(和/英) 実装ばらつき / Mounting variation
第 1 著者 氏名(和/英) 鍛治 秀伍 / Shugo Kaji
第 1 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学(略称:奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology(略称:NAIST)
第 2 著者 氏名(和/英) 衣川 昌宏 / Masahiro kinugawa
第 2 著者 所属(和/英) 仙台高等専門学校(略称:仙台高専)
National Institute of Technology, Sendai College(略称:NIT)
第 3 著者 氏名(和/英) 藤本 大介 / Daisuke Fujimoto
第 3 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学(略称:奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology(略称:NAIST)
第 4 著者 氏名(和/英) Laurent Sauvage / Laurent Sauvage
第 4 著者 所属(和/英) Telecom ParisTech(略称:Telecom ParisTech)
Telecom ParisTech(略称:Telecom ParisTech)
第 5 著者 氏名(和/英) Jean-Luc Danger / Jean-Luc Danger
第 5 著者 所属(和/英) Telecom ParisTech(略称:Telecom ParisTech)
Telecom ParisTech(略称:Telecom ParisTech)
第 6 著者 氏名(和/英) 林 優一 / Yu-ichi Hayashi
第 6 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学(略称:奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology(略称:NAIST)
発表年月日 2019-02-28
資料番号 VLD2018-120,HWS2018-83
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) VLD-457,HWS-458
ページ範囲 pp.163-167(VLD), pp.163-167(HWS),
ページ数 5
発行日 2019-02-20 (VLD, HWS)