講演名 2019-02-07
[招待講演]平滑なAuナノ薄膜を有する大気中にて常温接合可能な基板作製技術
松前 貴司(産総研), 山本 道貴(産総研), 倉島 優一(産総研), 日暮 栄治(産総研), 高木 秀樹(産総研),
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抄録(和) 平滑なAuナノ薄膜同士は大気中・室温でも直接接合できる。大気中・常温での放熱基板の直接接合のため、平滑なAuナノ薄膜を表面に持つ放熱基板の作製を行った。Au層を平滑な基板に成膜した後で剥離することで、平滑な形状が転写されたAu表面が得られる。本研究では、平滑な熱酸化Si基板をマスター基板とし、Auナノ薄膜/Ta拡散バリア/Cuメッキ下地層を順に成膜し、この上にCu基板を電気メッキした後Au/SiO2間で剥離することで、平滑なAuナノ薄膜を有する大気中・常温で接合可能な放熱基板が得られた。
抄録(英) e electroformed a Cu-based heat spreader with smooth Au thin film for room temperature bonding in atmospheric air. The Cu substrates were fabricated on Au/Ta/Cu (from bottom to top) seed layers deposited onto smooth thermally-oxidized Si wafers. As their exfoliated Au surface from SiO2 is atomically smooth as that of the Si wafer, the electroformed Cu substrate can form bonding with a Au-metallized Si chip at room temperature in atmospheric air.
キーワード(和) 表面活性化接合 / 常温接合 / 大気中接合 / Auナノ薄膜 / 電鋳
キーワード(英) Surface activated bonding / Room temperature bonding / Bonding in atmospheric air / Au nano-bonding layer / Electroforming
資料番号 SDM2018-97
発行日 2019-01-31 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2019/2/7(から1日開催)
開催地(和) 東京大学/本郷 工学部4号館 42講義室
開催地(英)
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術
テーマ(英) Backend / Assembly and Related materials technology
委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大)
委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ)
副委員長氏名(英) Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic)
幹事氏名(和) 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー)
幹事氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY)
幹事補佐氏名(和) 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大)
幹事補佐氏名(英) Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]平滑なAuナノ薄膜を有する大気中にて常温接合可能な基板作製技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Fabrication of substrates with smooth Au surface for bonding at room temperature in atmospheric air
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 表面活性化接合 / Surface activated bonding
キーワード(2)(和/英) 常温接合 / Room temperature bonding
キーワード(3)(和/英) 大気中接合 / Bonding in atmospheric air
キーワード(4)(和/英) Auナノ薄膜 / Au nano-bonding layer
キーワード(5)(和/英) 電鋳 / Electroforming
第 1 著者 氏名(和/英) 松前 貴司 / Takashi Matsumae
第 1 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 2 著者 氏名(和/英) 山本 道貴 / Michitaka Yamamoto
第 2 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 3 著者 氏名(和/英) 倉島 優一 / Yuichi Kurashima
第 3 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 4 著者 氏名(和/英) 日暮 栄治 / Eiji Higurashi
第 4 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 5 著者 氏名(和/英) 高木 秀樹 / Hideki Takagi
第 5 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
発表年月日 2019-02-07
資料番号 SDM2018-97
巻番号(vol) vol.118
号番号(no) SDM-438
ページ範囲 pp.27-30(SDM),
ページ数 4
発行日 2019-01-31 (SDM)