| 講演名 | 2019-02-07 ［招待講演］ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング 中杉 哲郎(東芝メモリ), |
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| 抄録(和) | 本稿ではIEDM2018で報告したNILシングル露光によるhp14nmパターン形成技術について報告する。従来課題とされていた重ね合わせ精度、欠陥密度、処理能力、テンプレート寿命を克服した。側壁プロセスを適用して作製したテンプレートを用い、NILシングル露光でhp14nmパターンを形成することに成功した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | ナノインプリント / テンプレート / 半導体 / リソグラフィ |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2018-91 |
| 発行日 | 2019-01-31 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2019/2/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷 工学部４号館 42講義室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Backend / Assembly and Related materials technology |
| 委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 平野 博茂(パナソニック・タワージャズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerJazz Panasonic) |
| 幹事氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリー) |
| 幹事氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 幹事補佐氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Half pitch 14 nm direct pattering with Nanoimprint lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノインプリント |
| キーワード(2)（和/英） | テンプレート |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体 |
| キーワード(4)（和/英） | リソグラフィ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中杉 哲郎 / Tetsuro Nakasugi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社(略称：東芝メモリ) Toshiba Memory Corpration(略称：Toshiba Memory) |
| 発表年月日 | 2019-02-07 |
| 資料番号 | SDM2018-91 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | SDM-438 |
| ページ範囲 | pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-31 (SDM) |