| 講演名 | 2019-01-17 ［招待講演］シリコン半導体の過去・現在・未来 木村 紳一郎(日立), |
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| 抄録(和) | 活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。大きなコンピューティングパワーを必要としているAIを半導体チップに組み込み、工場や自動車などの実世界におけるさまざまな事象・現象に対応するためには、デバイスは低電力性と高性能という要求を同時に満たさなければならない。それを可能にするデバイスの一つとして、FD (Fully-Depleted)-SOI (Silion on Insulator)の進化系である薄膜BOX( Buried Oxide)を用いたMOSFETを紹介する。これは、SOI基板の埋め込み酸化膜を薄膜化したものであり、基板に電圧を印加することで、MOSFETの特性を使用状況に応じて、柔軟に低電力モードと高性能モードに変えられるという特徴を持っている。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | IC産業 / MOSFET / DRAM / 3D-NAND / FinFET / エッジ / 薄膜BOX / 基板電圧 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2018-80,MW2018-147 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2019/1/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 日立中研 |
| 開催地（英） | Hitachi, Central Research Lab. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) / 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUS) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTT DOCOMO) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 中村 宝弘(日立) / 清水 隆志(宇都宮大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 本良 瑞樹(東北大) / 吉田 賢史(鹿児島大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］シリコン半導体の過去・現在・未来 |
| サブタイトル（和） | 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Silicon Semiconductor, "past, present, and future" |
| サブタイトル（和） | * |
| キーワード(1)（和/英） | IC産業 |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 3D-NAND |
| キーワード(5)（和/英） | FinFET |
| キーワード(6)（和/英） | エッジ |
| キーワード(7)（和/英） | 薄膜BOX |
| キーワード(8)（和/英） | 基板電圧 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 紳一郎 / Shin'ichiro Kimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所(略称：日立) Hitachi, Ltd.(略称：Hitachi) |
| 発表年月日 | 2019-01-17 |
| 資料番号 | ED2018-80,MW2018-147 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-402,MW-403 |
| ページ範囲 | pp.63-66(ED), pp.63-66(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |