| 講演名 | 2019-01-17 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 熊崎 祐介(富士通研), 尾崎 史朗(富士通研), 美濃浦 優一(富士通研), 牧山 剛三(富士通研), 多木 俊裕(富士通研), 岡本 直哉(富士通研), 中村 哲一(富士通研), |
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| 抄録(和) | InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入するピットアシストオーミック技術の検討を行った．ピット構造は試料をTMAHに浸漬する簡便な手法により形成することができた．コンタクト抵抗はピット占有率と相関を持ち，平坦部，ピット側壁部，ピット底部で異なる接触抵抗率を持つものとみなして計算することで説明可能であることを示した．最適な条件の適用により，Al融点以下のアニール温度においても0.38 Ω・mmのコンタクト抵抗を得ることができ，DC特性においてもオン抵抗，ドレイン電流，相互コンダクタンスがそれぞれ改善することを明らかにした．ピットアシストオーミック技術は簡便なプロセス，低アニール処理温度により，コンタクト抵抗の低減を実現できることから，有用かつ実用的な技術であるといえる． |
| 抄録(英) | Low contact resistance was realized in InAlGaN/GaN HEMTs by the introduction of pit structures on the metal/InAlGaN interface. Contact resistance was strongly affected by pit morphology, and it could be roughly explained by assuming the pit structure as a parallel circuit. InAlGaN/GaN HEMT with pit-assisted ohmic contact shows low contact resistance of 0.38 Ω・mm with less variation, and exhibited improved DC characteristics. It can be concluded that the pit-assisted ohmic contact is a cost-effective practical technique to obtain a low contact resistance from a low temperature annealing. |
| キーワード(和) | HEMT / パワーアンプ / ミリ波 / InAlGaN / オーミック / コンタクト抵抗 |
| キーワード(英) | HEMT / Power Amplifier / Millimeter wave / InAlGaN / Ohmic / Contact resistance |
| 資料番号 | ED2018-77,MW2018-144 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2019/1/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 日立中研 |
| 開催地（英） | Hitachi, Central Research Lab. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) / 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUS) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTT DOCOMO) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 中村 宝弘(日立) / 清水 隆志(宇都宮大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takashi Shimizu(Utsunomiya Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 本良 瑞樹(東北大) / 吉田 賢史(鹿児島大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Satoshi Yoshida(Kagoshima Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pit-Assisted Ohmic Contact Technology for InAlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | パワーアンプ / Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | InAlGaN / InAlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | オーミック / Ohmic |
| キーワード(6)（和/英） | コンタクト抵抗 / Contact resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 美濃浦 優一 / Yuichi Minoura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ooki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中村 哲一 / Norikazu Nakamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD.(略称：FUJITSU LABORATORIES LTD.) |
| 発表年月日 | 2019-01-17 |
| 資料番号 | ED2018-77,MW2018-144 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-402,MW-403 |
| ページ範囲 | pp.51-54(ED), pp.51-54(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |